[发明专利]多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构及其制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅铸锭用的免烧结坩埚涂层结构，包括：

置于坩埚基底上的第一涂层，和

置于该第一涂层上的第二涂层；

所述第一涂层通过涂覆第一涂层组合物形成，所述第一涂层组合物由基于第一涂层组合物总重量的70-80％的溶剂和20-30％的粘结剂组成；所述第二涂层通过涂覆第二涂层组合物形成，所述第二涂层组合物含有基于第二涂层组合物总重量的14-20％的氮化硅、60-70％的溶剂和14-20％的粘结剂，且所述溶剂选自水或醇；所述粘结剂选自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或硅溶胶。第二涂层组合物中氮化硅和粘结剂的下限高了

2.根据权利要求1所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述醇为挥发性醇。

3.根据权利要求2所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述挥发性醇为无水乙醇或异丙醇。

4.根据权利要求1所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述第二涂层还含有分散剂和消泡剂中的任意一种或两种。

5.根据权利要求4所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述分散剂选自氨基醇、甲基戊醇或其组合，含量为第二涂层总重量的0.5-2wt％，优选1-2wt％。

6.根据权利要求4所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述消泡剂选自1，2丙二醇、聚氧乙烯聚氧丙烯季戊四醇醚、聚氧乙烯聚氧丙醇胺醚或其组合，含量为第二涂层总重量的0.5-2wt％，优选1-2wt％。

7.根据权利要求1所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述氮化硅为颗粒状态，粒度为1-100μm之间，优选1-20μm，更优选1-5μm。

8.根据权利要求1所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述第一涂层和第二涂层的厚度均为0.1-0.3mm。

9.根据权利要求1-8任一所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，所述免烧结坩埚涂层结构的总厚度为0.2-0.5mm。

10.根据权利要求1-9任一所述的免烧结坩埚涂层结构，其特征在于，还包括置于该第二涂层上的另一第一涂层，以及置于该另一第一涂层上的另一第二涂层。

11.涂覆有权利要求1-10任一所述的免烧结坩埚涂层结构的坩埚。

12.权利要求1-10所述的免烧结坩埚涂层结构的制备方法，包括如下步骤：

a)在室温条件下使用搅拌器械连续搅拌70-80％的溶剂和20-30％的粘结剂，制成第一涂层组合物；

b)在室温条件下使用搅拌器械连续搅拌14-20％的氮化硅、60-70％的溶剂、14-20％的粘结剂和任选的0.5-2wt％分散剂和/或0.5-2wt％消泡剂，制成第二涂层组合物；

c)将第一涂层组合物涂覆在坩埚基底上形成第一涂层，涂层厚度为0.1-0.25mm；优选0.1-0.2mm；

d)将第二涂层组合物涂覆在第一涂层上形成第二涂层，涂层厚度为0.1-0.25mm；优选0.2-0.25mm；

e)任选进行第一涂层组合物和第二涂层组合物的交替涂覆；

所述溶剂选自水或醇；所述粘结剂选自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或硅溶胶。

13.根据权利要求12所述的涂覆方法，其特征在于，所得的免烧结坩埚涂层结构的总厚度为0.2-0.5mm，优选0.2-0.4mm。