[发明专利]低碳钢表面高结合强度TIN陶瓷膜的制备方法无效
申请号: | 201110397829.6 | 申请日: | 2011-12-05 |
公开(公告)号: | CN102433536A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 赵晖 | 申请(专利权)人: | 沈阳理工大学 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C14/02;C23C14/06 |
代理公司: | 沈阳利泰专利商标代理有限公司 21209 | 代理人: | 李枢 |
地址: | 110159 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低碳钢 表面 结合 强度 tin 陶瓷膜 制备 方法 | ||
1.低碳钢表面高结合强度TIN陶瓷膜的制备方法,是在低碳钢表面经过强流脉冲电子束处理以后,再利用多弧离子镀技术,在低碳钢表面制备TIN陶瓷膜,特征在于包括以下工艺步骤:
(1)打磨碳钢部件表面,除去表面的大尺寸缺陷;
(2)将经过步骤)处理的低碳钢部件表面清洗,除去油污、杂质;
(3)将经过步骤(2)处理的部件放到真空室中进行高能脉冲电子束处理,高能脉冲电子束处理主要是对低碳钢表面进行深度清洗;
(4)采用多弧离子镀设备对通过步骤(3)处理的碳钢部件表面进行离子镀处理,使其表层镀上一层TIN陶瓷膜。
2.如权利要求述的低碳钢表面高结合强度TIN陶瓷膜的制备方法,其特征在于:上述步骤(3)中高能脉冲电子束处理参数为:电流密度100~150A,脉冲电压12~15kV,脉冲频率2~10Hz,脉冲次数2~10次。
3.如权利要求2所述的低碳钢表面高结合强度TIN陶瓷膜的制备方法,其特征在于:电弧电流为40~80A;负偏压-90~-120V;气体离子源加速电压10~15 kV、电流强度5~10mA;工作压强为0.2Pa;沉积时间10~60min。
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