[发明专利]三维细胞培养支架的制备方法及三维细胞培养装置无效
申请号: | 201110397867.1 | 申请日: | 2011-12-05 |
公开(公告)号: | CN103131636A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 唐祖明;周雪锋;梅茜;顾宁 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | C12M3/00 | 分类号: | C12M3/00;D01D1/02;D01D5/00;D01F6/48;D01F1/10;C08J9/26;C08L67/04;C08L5/08;C08K3/32;C08K3/22;C08K3/08 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业园区独*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 细胞培养 支架 制备 方法 装置 | ||
1.一种三维细胞培养支架的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
a.称取1~10g的聚合物溶于10~100ml的有机溶剂中,配置成聚合物溶液;
b.称取0~500mg增塑剂,加入到上述聚合物溶液中,混合均匀;
c.称取羟基磷灰石胶纳米颗粒0~2g;银纳米颗粒0~2g;氧化锌纳米颗粒0~2g;壳聚糖纳米颗粒0~2g,加入到经过步骤b处理的溶液中,混合均匀,获得纺丝原液;
d.将所述纺丝原液注入到静电纺丝设备中,进行静电纺丝处理,在静电纺丝设备的接收装置上获得纺丝;
e.将所获得的纺丝进行烘干处理,即制得三维细胞培养支架。
2.根据权利要求1所述的三维细胞培养支架的制备方法,其特征在于:所述静电纺丝法的纺丝条件为:电压:10~70kv,接收距离:5~26cm,出样速度:0.5~3.0ml/h。
3.根据权利要求1所述的三维细胞培养支架的制备方法,其特征在于:所述羟基磷灰石胶纳米颗粒、银纳米颗粒、氧化锌纳米颗粒、壳聚糖纳米颗粒的粒径范围为:10~500nm。
4.根据权利要求1所述的三维细胞培养支架的制备方法,其特征在于:步骤a中所述聚合物为聚氯乙烯(Polyvinylchloride,PVC),步骤a中所述有机溶剂为四氢呋喃,步骤b中所述增塑剂为邻苯二甲酸二辛脂或者癸二酸二辛酯。
5.一种三维细胞培养支架的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
a.称取形成细胞培养支架的第一基质材料5~50g,第二基质材料5~50g;
b.称取有机溶剂1~10g,将所述基质材料溶于有机溶剂中,混合均匀,形成混合溶液;
c.称取羟基磷灰石胶纳米颗粒0~2g;银纳米颗粒0~2g;氧化锌纳米颗粒0~2g;壳聚糖纳米颗粒0~2g,加入到所述混合溶液中,混合均匀;
d.向经过步骤c处理的混合溶液中加入二氧化硅颗粒,混合均匀;
e.将加入二氧化硅颗粒的混合溶液烘干,并用酸性溶液浸泡烘干物溶去二氧化硅,获得三维细胞培养支架。
6.根据权利要求5所述的三维细胞培养支架的制备方法,其特征在于:所述羟基磷灰石胶纳米颗粒、银纳米颗粒、氧化锌纳米颗粒、壳聚糖纳米颗粒的粒径范围为:10~500nm。
7.根据权利要求6所述的三维细胞培养支架的制备方法,其特征在于:步骤a中所述第一基质材料为左旋聚乳酸,所述第二基质材料为加聚己内酯。
8.根据权利要求6所述的三维细胞培养支架的制备方法,其特征在于:步骤b中所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺,步骤e中所述酸性溶液为氢氟酸。
9.一种三维细胞培养装置,其特征在于:所述三维细胞培养装置包括根据权利要求1~4所述的三维细胞培养支架的制备方法制得的三维细胞培养支架。
10.一种三维细胞培养装置,其特征在于:所述三维细胞培养装置包括根据权利要求5~7所述的三维细胞培养支架的制备方法制得的三维细胞培养支架。
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