[发明专利]晶种层数量减少的晶圆级芯片规模封装结构的形成

权利要求书

1.一种方法，包括：

在金属焊盘上方形成钝化层，其中，所述金属焊盘进一步置于半导体衬底上方；

在所述钝化层中形成第一开口，其中，所述金属焊盘的一部分通过所述第一开口暴露出来；

在所述钝化层上方形成晶种层，其中，所述晶种层与所述金属焊盘电连接；

在所述晶种层上方形成第一掩模，其中，所述第一掩模包括第二开口，所述第二开口位于所述金属焊盘的至少一部分的正上方；

在所述晶种层上方和所述第二开口中形成后钝化互连件(PPI)

在所述第一掩模上方形成第二掩模；

在所述第二掩模中形成第三开口；

在所述第三开口中形成金属凸块的至少一部分；以及

在形成金属凸块的至少一部分的步骤之后，去除所述第一掩模和所述第二掩模。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模和所述第二掩模是光刻胶，或者

其中，所述第一掩模和所述第二掩模相互物理接触。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在去除所述第一掩模和所述第二掩模的步骤之后，去除所述晶种层未被所述PPI所覆盖的暴露部分，或者

其中，所述形成金属凸块的至少一部分的步骤包括：在所述开口中形成镍层，并且其中，所述方法进一步包括：在所述去除所述第一掩模和所述第二掩模的步骤之后，在所述镍层上方设置焊球并且回流所述焊球，或者

其中，所述形成金属凸块的步骤包括：

将铜柱形成在所述PPI上方并且使得所述铜柱与所述PPI物理接触；

在所述铜柱上方形成焊料层；以及

回流所述焊料层，或者

进一步包括：

将液态模塑料施加在所述金属凸块和所述PPI上方；

将释放膜施加在所述液态模塑料上方；

将所述释放膜压在所述液态模塑料上，直至所述液态模塑料的顶面低于所述金属凸块的顶端；以及

固化所述液态模塑料。

4.一种方法，包括：

在所述金属焊盘上方形成钝化层，其中，所述金属焊盘进一步位于半导体衬底上方；

在所述钝化层上方形成聚酰亚胺层；

形成与所述金属焊盘电连接的晶种层，其中，所述晶种层的一部分位于所述聚酰亚胺层上方；

在所述聚酰亚胺层上方形成第一掩模，其中，所述第一掩模包括第一开口，所述第一开口位于所述金属焊盘的至少一部分的正上方；

在所述晶种层上方和所述第一开口中形成后钝化互连件(PPI)；

在所述PPI上方形成金属凸块，所述金属凸块与所述PPI电连接；

去除所述第一掩模；以及

在所述PPI上方形成模塑料，其中，所述模塑料与所述金属凸块和所述PPI物理接触。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

在形成所述晶种层的步骤之后，并且在不去除所述第一掩模的情况下，在所述第一掩模上方形成第二掩模；

在所述第二掩模中形成第二开口；

执行形成所述金属凸块的步骤，其中，所述金属凸块形成在所述第二开口中；以及

在形成所述金属凸块的步骤之后，在与去除所述第一掩模相同的去除步骤中去除所述第二掩模，并且

其中，形成所述金属凸块的步骤包括：将镍层电镀在所述PPI上方并且使得所述镍层与所述PPI物理接触，其中，所述方法进一步包括：在去除所述第一掩模和所述第二掩模的步骤之后，将焊球设置在所述镍层上并且对所述焊球进行回流。