[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置的制造方法，其中，该发光装置是将面朝上型的发光元件安装在次安装基台上而成的，该面朝上型的发光元件具有形成于绝缘性的基板上的半导体层、以及形成于同一面侧的n焊盘电极及p焊盘电极，

该发光装置的制造方法的特征在于，

在所述发光元件上形成2个贯穿孔，这些贯穿孔分别穿过所述n焊盘电极及所述p焊盘电极而贯穿，

利用绝缘膜对向所述贯穿孔的侧面露出的所述半导体层进行覆盖，

在所述次安装基台上，在所述发光元件的安装位置且与所述发光元件的所述贯穿孔相对的位置上，形成比所述发光元件的厚度长而以棒状凸出的2个棒状电极，

向所述发光元件的所述贯穿孔中插入所述次安装基台的所述棒状电极，将所述棒状电极的前端压扁，从而将所述棒状电极和所述n焊盘电极及所述p焊盘电极连接。

2.一种发光装置的制造方法，其中，该发光装置是在次安装基台上将具有半导体层、p焊盘电极、n电极的发光元件，以所述n电极侧作为所述次安装基台侧进行安装而成的，其中，该半导体层形成在导电性基板上，该p焊盘电极形成在半导体层上，该n电极形成在所述导电性基板的所述半导体层形成侧的相反侧的面上，

该发光装置的制造方法的特征在于，

在所述发光元件上形成贯穿孔，该贯穿孔穿过所述p焊盘电极而贯穿，

利用绝缘膜对向所述贯穿孔的侧面露出的所述半导体层及所述导电性基板进行覆盖，

在所述次安装基台上，在所述发光元件的安装位置且与所述发光元件的所述贯穿孔相对的位置上，形成比所述发光元件的厚度长而以棒状凸出的棒状电极，

向所述发光元件的所述贯穿孔中插入所述次安装基台的所述棒状电极，将所述棒状电极的前端压扁，从而将所述棒状电极和所述p焊盘电极连接。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置的制造方法，其特征在于，

在所述次安装基台上同时安装多个所述发光元件。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置的制造方法，其特征在于，

所述发光元件是III族氮化物半导体发光元件。

5.一种发光装置，其是将面朝上型的发光元件安装在次安装基台上而成的，该面朝上型的发光元件具有形成于绝缘性的基板上的半导体层、以及形成于同一面侧的n焊盘电极及p焊盘电极，

该发光装置的特征在于，

所述发光元件具有：

2个贯穿孔，它们分别穿过所述n焊盘电极及所述p焊盘电极而贯穿；以及

绝缘膜，其对向所述贯穿孔的侧面露出的所述半导体层进行覆盖，

所述次安装基台在所述发光元件的安装位置且与所述发光元件的所述贯穿孔相对的位置上，具有比所述发光元件的厚度长而以棒状凸出的2个棒状电极，

向所述发光元件的所述贯穿孔中插入所述次安装基台的所述棒状电极，将所述棒状电极的前端压扁，从而将所述棒状电极和所述n焊盘电极及所述p焊盘电极连接。

6.一种发光装置，其是在次安装基台上将具有半导体层、p焊盘电极、n电极的发光元件，以所述n电极侧作为所述次安装基台侧进行安装而成的，其中，该半导体层形成在导电性基板上，该p焊盘电极形成在半导体层上，该n电极形成在所述导电性基板的所述半导体层形成侧的相反侧的面上，

该发光装置的特征在于，

所述发光元件具有：

贯穿孔，其穿过所述p焊盘电极而贯穿；以及

绝缘膜，其对向所述贯穿孔的侧面露出的所述半导体层进行覆盖，

所述次安装基台在所述发光元件的安装位置且与所述发光元件的所述贯穿孔相对的位置上，具有比所述发光元件的厚度长而以棒状凸出的棒状电极，

向所述发光元件的所述贯穿孔中插入所述次安装基台的所述棒状电极，将所述棒状电极的前端压扁，从而将所述棒状电极和所述p焊盘电极连接。

7.根据权利要求5或6所述的发光装置，其特征在于，

在所述次安装基台上安装多个发光元件，这些发光元件串联连接或者并联连接。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的发光装置，其特征在于，

所述发光元件是III族氮化物半导体发光元件。