[发明专利]玻璃基板薄膜溅射靶材及其制备方法无效
| 申请号： | 201110398619.9 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN102409294A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 寇浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/34;C22C1/04;C03C17/09 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦;丁建春 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 玻璃 薄膜 溅射 及其 制备 方法 | ||
1.一种玻璃基板薄膜溅射靶材的制备方法，其特征在于，包括：
称量用于制作玻璃基板薄膜溅射靶材的合金材料；
将称量的合金材料添加到等离子体压力成型烧结腔体中进行烧结，得到靶材烧结体，烧结温度为500℃～1600℃，烧结时间为5～20分钟；
将烧结获得的靶材烧结体进行后期加工处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述合金材料的粒径小于或等于100纳米。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述合金材料的成分配比为MoxCuyTiz，其中x，y，z均介于0-100％之间，且x+y+z＝100％。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为1400℃～1500℃，烧结时间为10～15分钟。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述烧结获得的靶材烧结体的相对密度大于或等于99.5％，氧含量小于或等于500ppm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述合金材料的成分配比为(In2O3)x(SnO2)y，其中y介于0～7％之间，且x+y＝100％。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为600℃～700℃，烧结时间为10分钟。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述烧结获得的靶材烧结体的相对密度大于或等于99.8％，氧含量小于或等于1000ppm。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在等离子体压力成型烧结腔体中进行烧结时，还包括对所述等离子体压力成型烧结腔体从外部加压。
10.一种玻璃基板薄膜溅射靶材，其特征在于，所述玻璃基板薄膜溅射靶材由权利要求1～9任一所述的制备方法制得。
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