[发明专利]存储元件、存储元件制造方法和存储装置

权利要求书

1.一种存储元件，其包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极，

其中，所述存储层包括：

电阻变化层，所述电阻变化层含有氟化物；以及

离子源层，所述离子源层布置于所述电阻变化层与所述第二电极之间。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述电阻变化层含有氟化镁、氟化铝、氟化钙和氟化锂中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述电阻变化层含有氧。

4.一种存储元件，其包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极，

其中，所述存储层包括：

电阻变化层，所述电阻变化层位于所述第一电极侧；以及

离子源层，所述离子源层布置于所述电阻变化层与所述第二电极之间，

并且，所述第一电极含有氟或磷。

5.根据权利要求4所述的存储元件，其中，所述电阻变化层也含有氟或磷。

6.根据权利要求4所述的存储元件，还包括与所述第一电极相接触并且布置于所述第一电极与所述电阻变化层之间的氟氧化物膜或磷氧化物膜。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的存储元件，其中，所述离子源层含有铜、铝、锗和锌中的至少一种金属元素，且含有氧、碲、硫和硒中的至少一种元素。

8.根据权利要求7所述的存储元件，其中，所述离子源层含有由钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼和钨构成的组中的至少一种过渡金属。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的存储元件，其中，

所述离子源层包括中间层和离子供给层，所述离子供给层布置于所述第二电极与所述中间层之间；

所述离子供给层含有铜、铝、锗和锌中的至少一种金属元素，且含有氧、碲、硫和硒中的至少一种元素，还含有由钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼和钨构成的组中的至少一种过渡金属；并且

所述中间层含有所述离子供给层中的至少一种金属元素，且含有氧、碲、硫和硒中的至少一种元素。

10.根据权利要求9所述的存储元件，其中，所述中间层中所述金属元素的含量与氧、碲、硫和硒的含量之比小于所述离子供给层中所述金属元素的含量与氧、碲、硫和硒的含量之比。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的存储元件，其中，通过向所述第一电极和所述第二电极施加电压使所述离子源层中的所述金属元素移动，所述电阻变化层的电阻状态响应于所述金属元素的移动而发生变化，通过所述电阻变化层的电阻状态的变化来实现信息存储。

12.一种存储元件制造方法，其包括下列步骤：

形成含有氟或磷的第一电极；

在所述第一电极上依次设置电阻变化层和离子源层，由此形成存储层；以及

在所述存储层上形成第二电极。

13.根据权利要求12所述的存储元件制造方法，其中，在形成含有氟或磷的所述第一电极之后，在所述第一电极与所述电阻变化层之间形成与所述第一电极相接触的氟氧化物膜或磷氧化物膜。

14.一种存储装置，其包括脉冲施加部和多个存储元件，

所述脉冲施加部选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲，

各所述存储元件是如权利要求1至11中任一项所述的存储元件。