[发明专利]大功率无级无触点可编程交流过零同步移相调压控制器无效
申请号: | 201110399667.X | 申请日: | 2011-12-06 |
公开(公告)号: | CN103151936A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 金荣华;赵青滨 | 申请(专利权)人: | 上海松盛电器科技有限公司 |
主分类号: | H02M5/451 | 分类号: | H02M5/451 |
代理公司: | 上海世贸专利代理有限责任公司 31128 | 代理人: | 李浩东 |
地址: | 201700 上海市青浦区外*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 无级 触点 可编程 流过 同步 调压 控制器 | ||
技术领域
本发明涉及调压控制器领域,特别涉及一种大功率无级无触点可编程交流过零同步移相调压控制器。
背景技术
目前的交流过零同步移相调压控制器多采用可调电阻和电阻分压来实现调相调压的功能,但是该技术是有触点调压,因此存在的缺点为:可调电阻的表面物质随着次数上去很容易磨损,变得经常出故障,还有它的调压要求也要靠机械方式来辅助,或人工手调,其调压精度难以做到高分辨率等等。
发明内容
本发明的目的是提供一种大功率无级无触点可编程交流过零同步移相调压控制器。
为了实现上述目的,本发明的技术方案是:一种大功率无级无触点可编程交流过零同步移相调压控制器,包括可控硅,可控硅的控制端与磁环隔离触发线圈的次级线圈连接,磁环隔离触发线圈的初级线圈正端与单晶硅的第一基极连接,磁环隔离触发线圈的初级线圈负端与整流桥堆的负输出端连接,单晶硅的第二基极通过一电阻接整流桥堆的正输出端,单晶硅的发射极与第二三极管的发射极连接,单晶硅的发射极还通过一电阻接整流桥堆的正输出端,单晶硅的发射极还通过一电容接整流桥堆的负输出端,第二三极管的集电极接整流桥堆的正输出端,第二三极管的基极与第五电阻的一端连接,第五电阻的另一端通过第二电容接整流桥堆的负输出端,其特征在于第五电阻的另一端通过第四电阻接第一三极管的集电极极,第一三极管的集电极通过电阻与二极管的阴极连接,二极管的阳极与整流桥堆的正输出端连接,第一三极管的发射极接整流桥堆的负输出端,第一三极管的基极与第二电阻的一端连接,第二电阻的另一端通过第一电容接整流桥堆的负输出端,第二电阻的另一端还通过第一电阻与单片机的脉冲输出端连接。
本发明利用单片机、第一电阻、第二电阻、第一电容和第一三极管组成可变阻值,就会改变第四电阻,第二电容,第五电阻和第二三极管的充电时间常数,使单晶硅BT33输出的脉冲电压的相位前移或后退,从而改变脉冲电压的周期,完成交流调相调压的控制。本发明的优点在于能广泛应用于自动化设备控制,可以智能化地完成各类复杂热处理流程控制等等。
附图说明
图1为本发明的电路图。
具体实施方式
如图所示,一种大功率无级无触点可编程交流过零同步移相调压控制器,包括可控硅3,可控硅3的控制端与磁环隔离触发线圈6的次级线圈连接,磁环隔离触发线圈6的初级线圈正端与单晶硅BT33的第一基极连接,磁环隔离触发线圈6的初级线圈负端与整流桥堆1的负输出端连接,单晶硅BT33的第二基极通过一电阻R8接整流桥堆1的正输出端,单晶硅BT33的发射极与第二三极管T2的发射极连接,单晶硅BT33的发射极还通过一电阻R7接整流桥堆1的正输出端,单晶硅BT33的发射极还通过一电容C3接整流桥堆的负输出端,第二三极管T2的集电极接整流桥堆1的正输出端,第二三极管T2的基极与第五电阻R5的一端连接,第五电阻R5的另一端通过第二电容C2接整流桥堆1的负输出端,其特征在于第五电阻R5的另一端通过第四电阻R4接第一三极管T1的集电极,第一三极管T1的集电极通过第三电阻R3与二极管D1的阴极连接,二极管D1的阳极与整流桥堆1的正输出端连接,第一三极管T1的发射极接整流桥堆1的负输出端,第一三极管T1的基极与第二电阻R2的一端连接,第二电阻R2的另一端通过第一电容C1接整流桥堆1的负输出端,第二电阻R2的另一端还通过第一电阻R1与单片机2的脉冲输出端连接。
如图所示,该单片机的输出端还与LCD 4连接,一组输入端还与一组按钮7连接,由单片机通过LCD和按钮来设置各时段所输出的电压,做到可编程控制,单片机的上述整流桥堆的输入端与一变压器的输出端连接,变压器的输入端与交流电源连接。上述可控硅的一端与交流电源的一端连接,上述可控硅的另一端与负载5的一端连接,负载5的另一端与交流电源的另一端连接。
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