[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110400600.3 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103151264B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；
在所述半导体衬底的源/漏区中形成碗状凹槽；
实施干法蚀刻对所述碗状凹槽进行纵向蚀刻，以在所述碗状凹槽的底部区域形成一平底沟槽；
蚀刻所述碗状凹槽，以形成∑状凹槽；
在所述∑状凹槽和所述平底沟槽中形成嵌入式锗硅层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成碗状凹槽的过程包括：先对所述半导体衬底的源/漏区进行第一蚀刻以形成凹槽，然后对所述凹槽进行第二蚀刻。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一蚀刻为采用干法蚀刻工艺的纵向蚀刻。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二蚀刻为采用干法蚀刻工艺的各向同性蚀刻。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述平底沟槽的深度为50-150埃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成∑状凹槽的蚀刻为湿法蚀刻。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述湿法蚀刻后，所述沟槽的深度大于600埃。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述湿法蚀刻后，所述沟槽的底部宽度大于150埃。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用外延生长工艺形成所述嵌入式锗硅层。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层、栅极材料层和栅极硬掩蔽层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
