[发明专利]阵列基板与具有该阵列基板的液晶面板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种阵列结构及其方法，具体而言是一种阵列基板与具有该阵列基板的液晶面板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器通常分为穿透式液晶显示器、反射液晶显示器以及半穿透/半反射液晶显示器，穿透式液晶显示器设有背光模块(Backlight Module)。背光模块使用的发光源大致可分为冷阴极荧光灯(Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL)、热阴极荧光灯、发光二极管或其他电激发光组件(Electro Luminescent Device, EL device)。

由于面板内的液晶转向均匀性攸关液晶显示器的画面显示质量。换言之，液晶转向一致时画面显示质量越佳，液晶转向不足时其透光不足，使得画面较暗，形成画面亮暗不均的波纹(mura)。具体来说，液晶转向程度与施加于像素电极(pixel electrode)的电压所产生的电场有关，亦即电场足够大，液晶扭转程度越佳；电场不足时，液晶扭转程度越差。进一步地，电场的大小与像素电极的线宽成正比例。然而在现有技术的液晶面板制程中是进行薄膜沉积、黄光曝光、显影以及蚀刻图案化等步骤来形成面板内的像素电极，而且在液晶面板的外围需要设置面积较大的电性量测的金属结构，以作为电性量测的扎针点，所以需要以较大的光阻区域来定义所述金属结构。

然而，由于显影步骤使用的显影液的流动具有方向性，面积较大的光阻会使显影液集中流向面内某些区域的像素电极图案，使得像素电极图案上的光阻过度显影或是显影不足。当过度显影时，在后续的蚀刻步骤会使像素电极的线宽缩小，当显影不足时，在后续的蚀刻步骤会使像素电极的线宽变大。因而造成像素电极的线宽尺寸大小不同而产生不均匀的电场，导致液晶扭转程度不平均，使得液晶面板的显示质量不良。因此需要发展一种新式的缓冲结构及其方法，以解决上述之问题。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种阵列基板与具有阵列基板的液晶面板及其制造方法，在液晶面板的微影制程中，使显影液在曝光图案上均匀地流动，避免显影液集中流向较大光阻区域，使像素电极的线宽趋于一致，解决液晶面板产生亮暗不均的波纹(mura)。

为达成上述地目的，在一实施例中，本发明提出一种阵列基板的制造方法，包括下列步骤：

形成多个扫描线、多个数据线、多个晶体管以及多个下接触垫于一基板上，基板定义第一显示区域、第二显示区域以及一第一非显示区域，扫描线、数据线、晶体管位于第一显示区域以及第二显示区域，晶体管分别位于数据线与扫描线的交错处，下接触垫位于第一非显示区域；

形成透明导电层于基板上；

涂布光阻层于透明导电层上；

对光阻层进行曝光步骤，使第一显示区域以及第二显示区域分别定义第一曝光图案与第二曝光图案，并且使第一非显示区域定义相对应于下接触垫的多个第三曝光图案；

当显影液在光阻层上开始流动以进行显影步骤时，第一曝光图案的第一线宽等于或是近似第二曝光图案的第二线宽；

当在显影液的流动过程中，每一第三曝光图案形成多个梳状图案，在一第三曝光图案的梳状图案与邻近的另一第三曝光图案的梳状图案互相叉合，梳状图案略微阻挡一部份显影液，使部分显影液经由第三曝光图案上表面与梳状图案上表面到达第一显示区域的第一曝光图案，第一曝光图案的第一线宽变成一第三线宽，并且使另一部份显影液直接到达第二显示区域的第二曝光图案，第二曝光图案的第二线宽变成第四线宽，其中第三线宽等于或是近似第四线宽；以及，

在第一显示区域与第二显示区域分别形成相对应第一曝光图案的第一像素电极与相对应第二曝光图案的第二像素电极，并且在第一非显示区域形成相对应第一曝光图案的多个上接触垫。

在另一实施例中，本发明提出一种阵列基板，适用于液晶面板，阵列基板包括：基板，具有第一显示区域、第二显示区域以及一第一非显示区域；多个扫描线，设置于第一显示区域与第二显示区域的基板上；多个数据线，位于第一显示区域与第二显示区域，每一数据线与每一扫描线形成一交错处，交错处设有一晶体管；多个下接触垫，设置于第一非显示区域的基板上；保护层用以覆盖数据线、晶体管以及下接触垫；透明导电层设置于保护层上，具有第一像素电极、第二像素电极以及多个上接触垫，第一像素电极与第二像素电极分别位于第一显示区域与第二显示区域，其中第一像素电极的宽度等于或是近似第二像素电极的宽度，上接触垫位于第一非显示区域且电性连接下接触垫。