[发明专利]用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201110401457.X | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102437258A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 袁根如;郝茂盛;李士涛;张楠;朱广敏;陈诚;邢志刚;陈耀;汪洋;李睿;彭昀鹏 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 控制 氮化 生长 成核 位置 图形 衬底 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底的制备方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：
1)提供一半导体衬底，对所述半导体衬底进行第一次刻蚀，以在其表面形成多个凸起微结构，且各该凸起微结构之间具有间隙平台；
2)进行第二次刻蚀，以在各该凸起微结构的表面形成粗糙纹理。
2.根据权利要求1所述的用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底的制备方法，其特征在于：所述凸起微结构为锥体状微结构。
3.根据权利要求2所述的用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底的制备方法，其特征在于：所述锥体状微结构为圆锥状微结构或多面体锥状微结构。
4.根据权利要求2或3所述的用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底的制备方法，其特征在于：各该凸起微结构呈周期性排列。
5.根据权利要求1所述的用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底的制备方法，其特征在于：所述第二次刻蚀步骤采用干法刻蚀设备进行刻蚀。
6.根据权利要求5所述的用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀设备采用SF6或CF4气体作为刻蚀气体。
7.根据权利要求5所述的用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀设备中，RF射频源功率为设备额定功率的30％～100％之间，偏压射频源功率为设备额定功率的50％～100％，刻蚀压力为0.1～0.5pa，气体流量为50～200sccm，处理时间为5～15分钟。
8.根据权利要求5所述的用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀设备中，RF射频源功率为设备额定功率的30％～50％之间，偏压射频源功率为设备额定功率的50％～80％，刻蚀压力为0.2～0.5pa，气体流量为50～150sccm，处理时间为5～10分钟。
9.一种用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底，其特征在于：所述图形衬底的表面形成有多个凸起微结构，各该凸起微结构之间具有间隙平台，且各该凸起微结构的表面具有粗糙纹理。
10.根据权利要求9所述的用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底，其特征在于：所述凸起微结构为锥体状微结构。
11.根据权利要求10所述的用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底，其特征在于：所述锥体状微结构为圆锥状微结构或多面体锥状微结构。
12.根据权利要求10或11所述的用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底，其特征在于：各该凸起微结构呈周期性排列。
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