[发明专利]射频超导腔用单晶粒铌材制造方法

权利要求书

1. 射频超导腔用单晶粒铌材制造方法，以高熔点金属铌为原料精炼提纯，制备出晶粒尺寸Φ100mm以上，残余电阻比率RRR值300以上的铌锭，然后切出单个晶粒，采用碾压的方式轧制，再经热处理制备成单晶铌板。

2.如权利要求书1所述射频超导腔用单晶粒铌材制备方法，其特征在于上述精炼提纯是采用真空电子束对高熔点金属铌进行多次熔炼提纯，生产出Φ250mm以上的铸锭，其最大晶粒直径为100mm以上，且铸锭的残余电阻比率RRR值在300以上。

3.如权利要求书1所述射频超导腔用单晶粒铌材制备方法，其特征在于上述切割出的单个晶粒是直径为100mm以上、厚度为15mm以上的单晶铌块，并对单晶铌块进行表面清洗处理。

4.如权利要求书1所述射频超导腔用单晶粒铌材制备方法，其特征在于上述轧制是指在轧机上交叉碾压单晶铌块，道次加工率≤5%，将其碾压到厚度为3－4mm的铌板；再把铌板加工成Ф266－Ф495mm，厚度为3－3.5mm的铌片，再进行酸洗处理。

5.如权利要求书1所述射频超导腔用单晶粒铌材制备方法，其特征在于上述热处理是对铌片进行消除应力退火，退火温度600－900℃。