[发明专利]一种过流保护电路无效

专利信息
申请号: 201110401723.9 申请日: 2011-12-07
公开(公告)号: CN102403690A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 李声晋;王严伟;卢刚;周勇;周广伟;李鑫;张松松;魏世克;杨静伟 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08;G01R19/165
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 顾潮琪
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种过流保护电路,包括共模电压差分放大电路、过流判别电路、电压高低变换和定时电路、报警电路、光电隔离电路、图腾柱电路、MOSFET关断电路,其特征在于:所述共模电压差分放大电路对流经电阻或负载的电流采样,并将采集到的电流值转化为差模电压值,然后进一步转化为共模电压值并输出至过流判别电路;过流判别电路将共模电压值与设定的参考值相比较,将比较结果通过高、低电平值输出到电压高低变换和定时电路;电压高低变换和定时电路根据高、低电平值输出不同电压值给报警电路和光电隔离电路,在过流判别电路输出高电平时电压高低变换和定时电路输出低电平,在电流判别电路输出低电平时电压高低变换和定时电路输出高电平;报警电路收到高电平值时发出报警声;光电隔离电路收到低电平时开通光电耦合器,收到高电平值时关断光电耦合器;图腾柱电路与光电耦合电路相连接,光电耦合器开通时图腾柱下端三极管开通输出-15V低电压,光电耦合器关断时输出+15V高电压;MOSFET关断电路与被保护的器件或电子电路相连接,在图腾柱输出-15V时开通MOSFET,在图腾柱输出+15V时关断MOSFET。

2.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于:所述的共模电压差分放大电路包括高共模差分放大器和检测电阻,检测电路连接在高共模差分放大器正负输入端,高共模差分放大器U1的差分电压输入管脚连接在检测电阻两端,将其电压值差分放大由高共模差分放大器U1的输出管脚输出到过流保护电路的1号电阻R1。

3.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于:所述的过流判别电路包括1号电阻R1、1号电容C1、运算放大器U3A和2号电阻R2,由U1的输出管脚输出的信号经过1号电阻R1和1号电容C1滤波后传至比较器U3的反向输入端,而U3的正向输入端输入电压参考值,只要检测电阻两端电压值大于设定值时U3的输出管脚输出低电平,反之,U3的输出管脚输出高电平,由U3的输出管脚输出的电平值经过限流电阻R2流入到NE555定时器U2的输入管脚。

4.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于:所述的电压高低变换和定时电路包括定时器、3号电阻R3、2号电容C2、3号电容C3和4号电阻R4,在电压高低变换和定时电路中,若从U2的输入管脚输入的是高电平时,NE555定时器U2的输出管脚输出低电平;若从U2的输入管脚输入的是低电平时,NE555定时器U2的输出管脚输出高电平并且此时3号电阻R3的阻值和2号电容C2的电容量的乘积为延时时间,在延时时间段内均输出高电平。

5.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于:所述报警电路包括5号电阻R5、1号三极管Q1和蜂鸣器LS,在电压高低变换和定时电路3中的NE555定时器U2的输出管脚输出高电平时蜂鸣器发出蜂鸣声,其它情况不发出蜂鸣声。

6.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于:所述光电隔离电路包括4号电容C4、6号电阻R6、5号电容C5和光电耦合器U4,当电压高低变换和定时电路3中的NE555定时器U2的3管脚输出低电平时,由5V电压、6号电阻R6、光电耦合器U4、7号电阻R7组成回路,光电耦合器U4开通;当电压高低变换和定时电路3中的NE555定时器U2的输出管脚输出高电平时,无法达到光电耦合器开通的最低电压值,光电耦合器U4关断。

7.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于:所述图腾柱电路包括8号电阻R8、9号电阻R9、6号电容C6、7号电容C7、PNP三极管Q2和NPN三极管Q3,当光电耦合器关断时15V电压经过8号电阻R8和9号电阻R9到达2号三极管Q2的2管脚,2号三极管Q2导通;当光电耦合器开通时-15V电压经过光电耦合器U4和9号电阻R9到达3号三极管Q3的2管脚,3号三极管Q3导通,图腾柱电路±15V经由2号三极管Q2或3号三极管Q3以及MOSFET关断电路中的限流电阻R10流向MOSFET功率管Q4的2管脚。

8.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于:所述MOSFET关断电路包括10号电阻R10、11号电阻R11、1号二极管D1、2号二极管D2、MOSFET功率管Q4、12号电阻R12和8号电容C8,当3号三极管Q3导通时P沟道MOSFET功率管Q4的2管脚处的电压值为-15V电压,MOSFET功率管Q4开通,电流在MOSFET功率管Q4的1和3管脚之间流通;当2号三极管Q2导通时P沟道MOSFET功率管Q4的2管脚处的电压值为正电压,MOSFET功率管Q4关断,电流不在MOSFET功率管Q4的1和3管脚之间流通。

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