[发明专利]存储元件和存储装置

权利要求书

1.一种存储元件，所述存储元件包括：

存储层，所述存储层具有与膜表面垂直的磁化，并且所述存储层的磁化的方向对应信息而改变；

磁化固定层，所述磁化固定层具有与膜表面垂直的磁化，并且所述磁化固定层的磁化是所述存储层中存储的信息的基准；以及

绝缘层，所述绝缘层是由氧化物构成的，并且所述绝缘层设置于所述存储层与所述磁化固定层之间，其中，

通过在包含所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层叠结构的层叠方向上注入自旋极化电子，所述存储层的磁化的方向发生改变，并且在所述存储层进行信息的记录，并且

在所述存储层与所述磁化固定层中的至少一者中，从与所述绝缘层相接触的界面侧依次形成有Fe膜和含有Ni的膜，并且在加热后形成有Ni和Fe的梯度组分分布。

2.根据权利要求1中所述的存储元件，其中，

所述含有Ni的膜是Ni膜，

所述Fe膜的膜厚度为0.4nm～0.5nm，并且

所述Ni膜的膜厚度为1.7nm～2.5nm。

3.根据权利要求2中所述的存储元件，其中，

所述存储层与所述磁化固定层中的至少一者具有这样的结构：置于由氧化物构成的所述绝缘层与另一氧化物层之间，从与所述绝缘层相接触的界面侧依次形成有Fe膜、Ni膜和第二Fe膜，并且所述第二Fe膜与所述另一氧化物层相接触，并且

所述第二Fe膜的膜厚度在0.2nm～0.7nm之间。

4.根据权利要求1中所述的存储元件，其中，所述含有Ni的膜是含有20原子％以下的B的NiB膜。

5.根据权利要求1中所述的存储元件，其中，

所述含有Ni的膜是含有大约15原子％的B的NiB膜，

所述Fe膜的膜厚度为0.4nm～0.8nm，并且

所述NiB膜的膜厚度为1.6nm～2.6nm。

6.根据权利要求1中所述的存储元件，其中，

所述含有Ni的膜是含有大约10原子％的B的NiB膜，

所述Fe膜的膜厚度为0.4nm～0.7nm，并且

所述NiB膜的膜厚度为1.0nm～3.0nm。

7.根据权利要求1中所述的存储元件，其中，所述含有Ni的膜是Ni和Pd的合金膜或者是Ni和Pd的层叠膜。

8.根据权利要求1中所述的存储元件，其中，向所述Fe膜添加有30原子％以下的Co。

9.根据权利要求1中所述的存储元件，其中，

在所述存储层与所述磁化固定层中的至少一者中，在加热之后形成有这样的梯度组分分布：其中，在与所述绝缘层相接触的界面侧Fe相对于Ni的组成比等于或大于50％。

10.一种存储装置，所述存储装置包括：存储元件，所述存储元件通过磁体的磁化状态来保持信息；以及两种类型的布线，所述两种类型的布线彼此交叉，其中，

所述存储元件为权利要求1～9中任一项所述的存储元件，

所述存储元件布置于所述两种类型的布线之间，并且

借助通过所述两种类型的布线在所述层叠方向上流向所述存储元件的电流来注入自旋极化电子。