[发明专利]非相邻垂直共振腔耦合结构

权利要求书

1.一种非相邻垂直共振腔耦合结构，至少包括：

第一共振腔，至少一侧边为第一弯折延伸结构，并且该第一弯折延伸结构具有槽孔；以及

第二共振腔，与该第一共振腔不相邻，其中与该第一共振腔的该第一弯折延伸结构相对的一侧更具有槽孔，藉以电学连接。

2.如权利要求1所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该第一共振腔的另一侧边为第二弯折延伸结构；以及

该第二共振腔的与该第一共振腔的另一侧边同侧为弯折延伸结构。

3.如权利要求1所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该第二共振腔的该侧边为第三弯折延伸结构，以及

该第一共振腔的该第一弯折延伸结构与该第二共振腔的该第三弯折延伸结构电学连接。

4.如权利要求2所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该第二共振腔的该侧边为第三弯折延伸结构，

该第一共振腔的该第一弯折延伸结构与该第二共振腔的该第三弯折延伸结构电学连接，

该第一共振腔的该第二弯折延伸结构与该第二共振腔的该另一侧边电学连接。

5.如权利要求2所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该第二共振腔的该两侧边分别为第三与第四弯折延伸结构，以及

该第一共振腔的该第一弯折延伸结构与该第二共振腔的该第三弯折延伸结构电学连接，且该第一共振腔的该第二弯折延伸结构与该第二共振腔的该第四弯折延伸结构电学连接。

6.如权利要求1所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该第一与该第二共振腔为基板整合波导共振腔。

7.如权利要求6所述的非相邻垂直共振腔耦合结构，其中该基板整合波导共振腔为以多层基板工艺实现。

8.一种非相邻垂直共振腔耦合结构的制造方法，至少包括：

提供第一共振腔，并且将至少一侧边弯折成第一弯折延伸结构，并且形成槽孔于该第一弯折延伸结构上；以及

提供第二共振腔，与该第一共振腔不相邻，其中更形成槽孔于与该第一共振腔的该第一弯折延伸结构相对的一侧，藉以电学连接。

9.如权利要求8所述的非相邻垂直共振腔耦合结构的制造方法，还包括：形成第二弯折延伸结构于该第一共振腔的另一侧边；以及

形成弯折延伸结构于该第二共振腔的与该第一共振腔的另一侧边同侧。

10.如权利要求9所述的非相邻垂直共振腔耦合结构的制造方法，还包括：形成第三弯折延伸结构于该第二共振腔的该侧边；以及

将该第一共振腔的该第一弯折延伸结构，电学连接到该第二共振腔的该第三弯折延伸结构。

11.如权利要求9所述的非相邻垂直共振腔耦合结构的制造方法，还包括：形成第三弯折延伸结构于该第二共振腔的该侧边；

将该第一共振腔的该第一弯折延伸结构，电学连接到该第二共振腔的该第三弯折延伸结构；以及

将该第一共振腔的该第二弯折延伸结构，电学连接到该第二共振腔的该另一侧边。

12.如权利要求9所述的非相邻垂直共振腔耦合结构的制造方法，其中在该第二共振腔的该两侧边上，分别形成第三与第四弯折延伸结构；

将该第一共振腔的该第一弯折延伸结构，电学连接到该第二共振腔的该第三弯折延伸结构；以及

将该第一共振腔的该第二弯折延伸结构，电学连接到该第二共振腔的该第四弯折延伸结构。