[发明专利]一种硅通孔刻蚀方法

权利要求书

1.一种硅通孔刻蚀方法，包括：

(1)制备图形步骤：

在硅片上均匀涂覆光刻胶，光刻胶厚度10～15μm；采用光刻工艺在光刻胶上制备出所需图形；

(2)刻蚀步骤：

利用Bosch工艺，在感应耦合等离子刻蚀机内，对制备图形的硅片进行40～80次刻蚀和钝化交替加工后，暂停加工，待光刻胶冷却后，再进行40～80次刻蚀和钝化交替加工；如此循环交替，直至硅片被刻蚀部分剩余厚度小于150um；感应耦合等离子刻蚀机工艺腔压力：30～40mtorr，温度：10～30℃；

每次刻蚀和钝化交替加工中，刻蚀阶段：射频功率25～30w，感应耦合等离子功率700～800W，刻蚀时间10～12秒，加入气体为C₄F₈和SF₆，C₄F₈流量：5±1sccm，SF₆流量：100±5sccm；

钝化阶段：射频功率10～15W，感应耦合等离子功率700～800W，钝化时间10～12秒，加入气体为C₄F₈和SF₆，C₄F₈流量：100±5sccm，SF₆流量：5±1sccm；

(3)加培片步骤：

选用厚度大于300μm的整片硅片做为培片，在培片上面涂覆真空导热油，将经过步骤(2)加工的硅片粘附在培片上面；

(4)穿透步骤：

对经过步骤(3)处理的硅片，采用步骤(2)的刻蚀工艺直至刻穿硅片；

(5)去除光刻胶步骤：

将刻穿的硅片浸入丙酮溶液，经超声波处理，去掉硅片上残余的光刻胶，得到具有通孔结构的硅片。