[发明专利]一种TSV阻挡层抛光液

权利要求书

1.一种TSV阻挡层抛光液，其特征在于，包含以下组分：磨料、组合金属保护剂、络合剂、氧化剂、氮化硅抑制剂和pH调节剂。

2.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述磨料是二氧化硅溶胶或气相法二氧化硅。

3.如权利要求1或2所述的抛光液，其特征在于，所述磨料的粒径为20-200nm。

4.如权利要求3所述的抛光液，其特征在于，所述磨料的粒径为40-120nm。

5.如权利要求1或2所述的抛光液，其特征在于，所述磨料含量为10-50％。

6.如权利要求5所述的抛光液，其特征在于，所述磨料含量为20-30％。

7.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述组合金属保护剂包括一种唑类化合物和一种水溶性聚合物。

8.如权利要求7所述的抛光液，其特征在于，所述的唑类化合物为苯并三氮唑及其衍生物；所述水溶性聚合物为聚丙烯酸及其共聚物。

9.如权利要求7所述的抛光液，其特征在于，所述唑类化合物的浓度为0.01-0.5％；所述水溶性聚合物的浓度为0.005-0.1％。

10.如权利要求9所述的抛光液，其特征在于，所述唑类化合物的浓度为0.05-0.2％；所述水溶性聚合物的浓度为0.01-0.05％。

11.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述的络合剂选自有机磷酸，PBTCA，HPAA，HEDP，EDTMP和ATMP中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述络合剂的浓度为0.05％-1％。

13.如权利要求12所述的抛光液，其特征在于，所述络合剂的浓度为0.1-0.5％。

14.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述氮化硅抑制剂为一种萘磺酸盐的甲醛缩聚物，具有以下通式：

其中：

15.如权利要求14所述的抛光液，其特征在于，所述氮化硅抑制剂为亚甲基双萘磺酸二钠盐，甲基萘磺酸甲醛缩聚物和/或苄基萘磺酸甲醛缩聚物。

16.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述pH调节剂为一种有机羧酸。

17.如权利要求16所述的抛光液，其特征在于，所述有机羧酸选自草酸，丙二酸，丁二酸，柠檬酸和酒石酸中的一种或多种。

18.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述氧化剂为过氧化物或过硫化物。

19.如权利要求18所述的抛光液，其特征在于，所述氧化剂选自过氧化氢，过氧化钠，过氧化钾，过氧化苯甲酰，过硫酸钠，过硫酸钾和过硫酸铵中的一种或多种。(此处氧化剂需要每一种都出现在实施例中至少一次)

20.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述抛光液还包括：杀菌防霉变剂。

21.如权利要求20所述的抛光液，其特征在于，所述杀菌防霉变剂为季铵盐活性剂。

22.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述抛光液的pH值为2-5。

23.如权利要求22所述的抛光液，其特征在于，所述抛光液的pH值为3-4。

24.如权利要求1所述的抛光液，其特征在于，所述氮化硅抑制剂的浓度从50ppm到0.1％。