[发明专利]单侧埋入带的制造方法

权利要求书

1.一种单侧埋入带的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体基板内形成沟槽电容结构，所述沟槽电容结构具有掺杂多晶硅层与由所述掺杂多晶硅层所包覆的隔离环，而所述掺杂多晶硅层的顶面低于所述半导体基板的顶面，因而形成有第一凹口；

在所述半导体基板上依序形成第一阻剂层、第二阻剂层与第三阻剂层，所述第一阻剂层填满了所述沟槽电容结构的所述凹口，而所述第一阻剂层、所述第二阻剂层与所述第三阻剂层具有平坦表面；

依序图案化所述第三阻剂层、所述第二阻剂层与所述第一阻剂层，在所述半导体基板上形成三层图案化的阻剂层，所述三层图案化的阻剂层露出了所述掺杂多晶硅层的所述顶面的一部分；

部分移除由所述三层图案化的阻剂层所露出的所述掺杂多晶硅层的所述部份以形成第二凹口，所述第二凹口露出了所述隔离环的一部分；

移除所述三层图案化的阻剂层；以及

在所述第二凹口内及所述第一凹口的一部分内形成一绝缘层，覆盖由所述第二凹口所露出的所述隔离环的所述部分。

2.根据权利要求1所述的单侧埋入带的制造方法，其特征在于所述第一阻剂层包括I-线阻剂材料。

3.根据权利要求1所述的单侧埋入带的制造方法，其特征在于所述第二阻剂层包括含硅阻剂材料。

4.根据权利要求1所述的单侧埋入带的制造方法，其特征在于所述第三阻剂层包括ArF阻剂材料。

5.根据权利要求1所述的单侧埋入带的制造方法，其特征在于所述第一阻剂层、所述第二阻剂层与所述第三阻剂层由旋转涂布方法所形成。

6.根据权利要求1所述的单侧埋入带的制造方法，其特征在于所述第一阻剂层、所述第二阻剂层与所述第三阻剂层仅由涂布机所形成。

7.根据权利要求1所述的单侧埋入带的制造方法，其特征在于，图案化所述第三阻剂层、所述第二阻剂层与所述第一阻剂层包括：

图案化所述第三阻剂层，形成图案化的第三阻剂层，所述图案化的第三阻剂层部分覆盖了所述掺杂多晶硅层，并部分露出所述第二阻剂层；

针对由所述图案化的第三阻剂层所露出的所述第二阻剂层的部分施行第一蚀刻制程，形成图案化的第二阻剂层，并部分露出了所述第一阻剂层；以及

针对由所述图案化的第二阻剂层所露出的所述第一阻剂层施行第二蚀刻制程，形成图案化的第一阻剂层，并部分露出所述掺杂多晶硅层及所述第一凹口，所述图案化的第一阻剂层、所述图案化的第二阻剂层与所述图案化的第三阻剂层形成了所述三层图案化的阻剂层。

8.根据权利要求7所述的单侧埋入带的制造方法，其特征在于通过微影制程与显影制程图案化所述第一阻剂层。

9.根据权利要求7所述的单侧埋入带的制造方法，其特征在于所述第一蚀刻制程与所述第二蚀刻制程为干蚀刻制程。

10.根据权利要求7所述的单侧埋入带的制造方法，其特征在于所述第一蚀刻制程与所述第二蚀刻制程由同一蚀刻设备所施行。

11.根据权利要求7所述的单侧埋入带的制造方法，其特征在于邻近所述绝缘层且高于所述隔离环的所述掺杂多晶硅层的所述部分用作埋入带。