[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

衬底；

电子传输层，形成在所述衬底的上方；

电子供应层，形成在所述电子传输层的上方；以及

覆盖层，形成在所述电子供应层的上方；

所述覆盖层包括

包含GaN的第一化合物半导体层；

包含AlN的第二化合物半导体层，其形成在所述第一化合物半导体层的上方；

包含GaN的第三化合物半导体层，其形成在所述第二化合物半导体层的上方；以及

第一包含AlGaN层和第二包含AlGaN层中的至少一个，所述第一包含AlGaN层形成在所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层之间且其中Al含量朝所述第二化合物半导体层的方向增大，所述第二包含AlGaN层形成在所述第二化合物半导体层和所述第三化合物半导体层之间且其中Al含量朝所述第二化合物半导体层的方向增大。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，

所述覆盖层既包括所述第一包含AlGaN层也包括所述第二包含AlGaN层。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，

所述第一包含AlGaN层包括下表面和上表面，所述第一包含AlGaN层中的Al含量从所述下表面处的0变为所述上表面处的1。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，

所述第二包含AlGaN层包括下表面和上表面，所述第二包含AlGaN层中的Al含量从所述下表面处的1变为所述上表面处的0。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，

所述第一包含AlGaN层与所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层接触。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中，

所述第二包含AlGaN层与所述第二化合物半导体层和所述第三化合物半导体层接触。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括：

开口，形成在所述覆盖层中至一透入所述电子供应层中的深度；

绝缘层，形成在所述开口中；以及

栅极，形成在所述开口中的所述绝缘层的上方。

8.根据权利要求7所述的化合物半导体器件，其中，

所述绝缘层在所述覆盖层的上方延伸。

9.一种化合物半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在衬底的上方形成电子传输层；

在所述电子传输层的上方形成电子供应层；以及

在所述电子供应层的上方形成覆盖层；其中，

所述覆盖层的形成包括：

形成包含GaN的第一化合物半导体层；

在所述第一化合物半导体层的上方形成包含AlN的第二化合物半导体层；

在所述第二化合物半导体层的上方形成包含GaN的第三化合物半导体层；以及

形成第一包含AlGaN层和第二包含AlGaN层中的至少一个，使所述第一包含AlGaN层形成在所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层之间，且所述第一包含AlGaN层具有朝所述第二化合物半导体层的方向增大的Al含量，并使所述第二包含AlGaN层形成在所述第二化合物半导体层和所述第三化合物半导体层之间，且所述第二包含AlGaN层具有朝所述第二化合物半导体层的方向增大的Al含量。

10.根据权利要求9所述的化合物半导体器件的制造方法，其中，

所述第一包含AlGaN层和所述第二包含AlGaN层两者均被形成。

11.根据权利要求9所述的化合物半导体器件的制造方法，其中，

所述第一包含AlGaN层包括下表面和上表面，所述第一包含AlGaN层被形成为使得该层中的Al含量从所述下表面处的0变为所述上表面处的1。

12.根据权利要求9所述的化合物半导体器件的制造方法，其中，

所述第二包含AlGaN层包括下表面和上表面，所述第二包含AlGaN层被形成为使得该层中的Al含量从所述下表面处的1变为所述上表面处的0。

13.根据权利要求9所述的化合物半导体器件的制造方法，其中，

所述第一包含AlGaN层被形成为与所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层接触。