[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110402804.0 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102569378A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 清水早苗;今西健治;山田敦史;宫岛豊生 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/201;H01L21/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琳;张龙哺 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种化合物半导体器件，包括：
衬底；
电子渡越层，形成在所述衬底的上方；
电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方；以及
缓冲层，形成在所述衬底与所述电子渡越层之间且包括AlxGa1-xN，其中0≤x≤1，其中
x值表示沿所述缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，并且在所述缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述x值沿所述缓冲层的厚度方向连续变化。
3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中在所述缓冲层的上表面处所述x值为最小值。
4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述电子渡越层包括与所述缓冲层的上表面接触的GaN层。
5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述x值的所述最大值和所述最小值分别为1和0。
6.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中一个循环内x值的平均值随着接近所述电子渡越层而减小，其中所述一个循环被限定为所述多个最大x值中相邻的最大峰值之间的距离。
7.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中一个循环内所述x值的变化随着接近所述电子渡越层而减小，其中所述一个循环被限定为所述多个最大x值中相邻的最大峰值之间的距离。
8.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述衬底是Si衬底、SiC衬底或蓝宝石衬底。
9.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中相邻的最大x值与最小x值之间的差值为0.1或更大。
10.一种化合物半导体器件的制造方法，包括：
在衬底的上方形成包括AlxGa1-xN的缓冲层，其中0≤x≤1；
在所述缓冲层的上方形成电子渡越层；以及
在所述电子渡越层的上方形成电子供应层，其中
x值表示沿所述缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，并且在所述缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。
11.根据权利要求10所述的化合物半导体器件的制造方法，其中所述x值沿所述缓冲层的厚度方向连续变化。
12.根据权利要求10所述的化合物半导体器件的制造方法，其中在所述缓冲层的上表面处所述x值为最小值。
13.根据权利要求10所述的化合物半导体器件的制造方法，其中所述电子渡越层包括与所述缓冲层的上表面接触的GaN层。
14.根据权利要求10所述的化合物半导体器件的制造方法，其中所述x值的所述最大值和所述最小值分别为1和0。
15.根据权利要求10所述的化合物半导体器件的制造方法，其中一个循环内x值的平均值随着接近所述电子渡越层而减小，其中所述一个循环被限定为所述多个最大x值中相邻的最大峰值之间的距离。
16.根据权利要求10所述的化合物半导体器件的制造方法，其中一个循环内所述x值的变化随着接近所述电子渡越层而减小，其中所述一个循环被限定为所述多个最大x值中相邻的最大峰值之间的距离。
17.根据权利要求10所述的化合物半导体器件的制造方法，其中所述衬底是Si衬底、SiC衬底或蓝宝石衬底。
18.根据权利要求10所述的化合物半导体器件的制造方法，其中相邻的最大x值与最小x值之间的差值为0.1或更大。
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