[发明专利]半导体激光元件

权利要求书

1.一种半导体激光元件，其特征在于：

包括由以半极性面作为晶体生长面的III族氮化物半导体构成的半导体层叠构造，该半导体层叠构造包括：包含In的发光层；配置于该发光层的一侧的p型引导层；配置于所述发光层的另一侧的n型引导层；配置于所述p型引导层的与所述发光层相反一侧的p型包层；配置于所述n型引导层的与所述发光层相反一侧的n型包层，

所述半导体层叠构造包括：与c轴在所述晶体生长面的投影矢量平行地形成的直线状的波导；和由与所述投影矢量垂直的解理面构成的一对激光谐振面。

2.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述半极性面是{20-21}面，所述激光谐振面是{-1014}面。

3.如权利要求1或2所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述半导体层叠构造包括沿着所述波导在所述一对激光谐振面之间延伸的脊形部，

所述半导体激光元件还包括：

在所述半导体层叠构造的配置有所述脊形部的一侧的表面形成的表面电极；

支承部，其配置于所述半导体层叠构造的所述表面中向与所述脊形部的长度方向正交的宽度方向离开的位置，具有与所述脊形部相等或者比所述脊形部高的高度，所述支承部的所述宽度方向的长度比所述脊形部的宽度大，且所述支承部与所述表面电极空出间隔。

4.如权利要求3所述的半导体激光元件，其特征在于：

还包括背面电极，该背面电极形成于所述半导体层叠构造的与所述表面相反一侧的背面，且在周边具有从所述一对激光谐振面向内侧后退的端面后退部。

5.一种半导体激光元件，其特征在于：

包括半导体层叠构造，该半导体层叠构造包括：发光层；配置于该发光层的一侧的p型引导层；配置于所述发光层的另一侧的n型引导层；配置于所述p型引导层的与所述发光层相反一侧的p型包层；配置于所述n型引导层的与所述发光层相反一侧的n型包层，

所述半导体层叠构造包括：形成于表面一侧的直线状的脊形部；在该脊形部的长度方向两端按照与所述脊形部正交的方式形成的一对激光谐振面；和在该一对激光谐振面中在与所述半导体层叠构造的背面相连的下边缘区域形成的端面加工痕迹。

6.如权利要求5所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述端面加工痕迹遍及所述半导体层叠构造的宽度方向的整个区域地连续。

7.如权利要求5或6所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述端面加工痕迹的厚度是所述半导体层叠构造的厚度的10％以上。

8.如权利要求5～7中任意一项所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述半导体层叠构造由以m面为晶体生长面的III族氮化物半导体构成，

所述激光谐振面是c面。

9.如权利要求5～7中任意一项所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述半导体层叠构造由以半极性面为晶体生长面的III族氮化物半导体构成，

所述脊形部与c轴在所述晶体生长面的投影矢量平行地形成，所述激光谐振面由与所述投影矢量垂直的解理面构成。

10.如权利要求9所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述半极性面是{20-21}面，所述激光谐振面是{-1014}面。

11.如权利要求5～10中任意一项所述的半导体激光元件，其特征在于，还包括：

形成于所述半导体层叠构造的表面的表面电极；

支承部，其配置于所述半导体层叠构造的所述表面中向与所述脊形部的长度方向正交的宽度方向离开的位置，具有与所述脊形部相等或者比所述脊形部高的高度，所述支承部的所述宽度方向的长度比所述脊形部的宽度大，且所述支承部与所述表面电极空出间隔。

12.如权利要求11所述的半导体激光元件，其特征在于：

还包括形成于所述半导体层叠构造的背面，且在周边具有从所述一对激光谐振面向内侧后退的端面后退部的背面电极。

13.如权利要求5～12中任意一项所述的半导体激光元件，其特征在于：

所述半导体层叠构造还包括：

与所述脊形部的长度方向平行的一对侧面；和

在所述一对侧面中在与所述半导体层叠构造的背面相连的下边缘区域形成的侧面加工痕迹。