[发明专利]一种掺Er的GaN荧光粉及其制备方法有效
申请号: | 201110403427.2 | 申请日: | 2011-12-07 |
公开(公告)号: | CN102391872A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 王晓丹;臧涛成;程新利;毛红敏;马春兰 | 申请(专利权)人: | 苏州科技学院 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80;C09K11/64 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215011 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 er gan 荧光粉 及其 制备 方法 | ||
1. 一种掺Er的GaN荧光粉,其特征在于:化学式为Ga(1-2x-y-z)Er2x Cey Az N,其中,A为元素Mg或Si,0.05%≤x≤5.0%,0.2x≤y≤2x, 0.001%≤z≤0.01%。
2. 一种如权利要求1所述的掺Er的GaN荧光粉的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)按摩尔比,Ga(NO3)3·9H2O∶Er2O3∶CeO2: MgO或Si(OC2H5)4)= (1-2x-y-z):x :y:z称取各原料,其中,0.05%≤x≤5.0%,0.2x≤y≤2x, 0.001%≤z≤0.01%;
(2)把Ga(NO3)3·9H2O溶解于去离子水中,Er2O3和CeO2分别溶解于浓硝酸中,将上述三种溶液混合均匀后,再加入MgO的浓硝酸溶液,或在快速搅拌条件下滴加Si(OC2H5)4,得到混合溶液;
(3)在90~120℃的温度下将上述混合溶液中的溶剂蒸发,得到干的块体,再将其研细成粉体;
(4)将得到的粉体在氮气气氛、温度为600~800 ℃的条件下处理5~7 小时,使硝酸盐和硅胶粉体分解,得到掺杂Er3+、Ce3+,及Mg2+或Si4+离子的Ga2O3粉体;
(5)在NH3气氛、温度为850~1050℃的条件下处理6~9小时,得到一种掺杂离子的GaN荧光粉。
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