[发明专利]薄膜光伏器件无效
| 申请号： | 201110403543.4 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102437204A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;单洪青 | 申请（专利权）人： | 北京精诚铂阳光电设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/076;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市亦庄*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 器件 | ||
1.一种薄膜光伏器件，包括：
脱离保护膜；
在所述脱离保护膜表面形成的氧化锌前电极；
在所述前电极表面沉积的具有内级联结构的光伏器件各层系以及背电极；其特征在于：
在所述光伏器件各层系与氧化锌前电极之间具有低阻抗区域。
2.根据权利要求1所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述脱离保护膜为柔性塑料膜。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述低阻抗区域包括至少一个由重掺杂n型层和重掺杂p型层组成的叠层。
4.根据权利要求3所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述薄膜光伏器件的典型结构包括柔性塑料膜、氧化锌前电极、重掺杂n型层、重掺杂p型层、p-i-n结构、背电极。
5.根据权利要求3所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述重掺杂n型层的掺杂浓度包括1％～20％的范围。
6.根据权利要求5所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述重掺杂n型层的厚度包括3埃～15埃，优选为5埃～10埃。
7.根据权利要求3所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述重掺杂p型层的掺杂浓度包括0.5％～5％的范围。
8.根据权利要求7所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述重掺杂p型层的厚度包括6埃～20埃。
9.根据权利要求1所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述低阻抗区域包括重掺杂p型层。
10.根据权利要求9所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述重掺杂p型层的厚度包括5埃～50埃。
11.根据权利要求2所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述柔性塑料膜为透明、耐温、热膨胀系数较低且抗拉的塑料薄膜。
12.根据权利要求11所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述塑料膜包括聚酰亚胺PI、聚醚酰亚胺PEI、聚醚醚酮树脂PEEK、聚萘二甲酸乙二醇酯PEN、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET或聚氟乙烯ETFE。
13.根据权利要求1所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述光伏器件各层系包括至少一结p-i-n电池单元。
14.根据权利要求13所述的薄膜光伏器件，其特征在于：所述p-i-n电池单元的p层为硼掺杂的非晶硅碳a-SiC:B。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
