[发明专利]一种质粒DNA或反义寡核苷酸转染附植前胚胎的方法无效
申请号: | 201110403792.3 | 申请日: | 2011-12-07 |
公开(公告)号: | CN102559752A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 彭辉;张涌;常博皞 | 申请(专利权)人: | 西北农林科技大学;杨凌科元克隆股份有限公司 |
主分类号: | C12N15/85 | 分类号: | C12N15/85;C12N15/87 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 712100 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 质粒 dna 反义 寡核苷酸 转染 附植前 胚胎 方法 | ||
技术领域
本发明属于胚胎转染领域,涉及一种质粒DNA或反义寡核苷酸转染附植前胚胎的方法。
背景技术
哺乳动物早期胚胎发育由其自身的遗传机制所控制,研究该遗传机制所采用的基本方法是调控关键基因的表达,观察后续的发育情况并分析该关键基因在发育过程中所发挥的作用。目前,将外源基因导入胚胎进行过表达或抑制基因的表达是研究基因功能一贯且经典的方法。
把外源基因转入到细胞/胚胎或整合到基因组主要通过转染、病毒载体的感染和显微注射,而抑制基因的表达主要依靠基因敲低和基因敲除技术。然而,就附植前胚胎而言,通过转染或病毒载体的感染而把外源基因导入十分困难,因为附植前胚胎外面由一层透明带包裹。基因敲除技术虽好但不能广泛的应用,因为此技术费时费力且花费巨大。
目前外源基因和下调基因表达的序列包括dsRNA、siRNA以及反义寡核苷酸主要通过显微注射导入附植前胚胎。此种方法效率很低,因为将外源基因和dsRNA、siRNA以及反义寡核苷酸导入2-细胞期以后的附植前胚胎需要逐个卵裂球的注射,费时费力且每次只能操作一个胚胎。
抑制基因表达的方法根据原理不同大致可分为两类:第一,利用siRNA或dsRNA降解靶mRNA,使关键基因失去翻译的模板;第二,利用反义寡核苷酸与靶mRNA进行结合,要么抑制靶mRNA的翻译,要么改变靶mRNA的剪切,进而表现出某关键基因失活的表型。以前,抑制基因的表达时,运用最多的是siRNA和dsRNA,但最近几年,反义寡核苷酸的运用有上升的趋势,因为反义寡核苷酸不降解靶mRNA且不易被RNase H降解,在细胞或胚胎内能维持较长时间。目前,发育生物学家多采用显微注射的方法将反义寡核苷酸注入卵子或者斑马鱼、青蛙、海鞘、海胆等的受精卵中进而研究胚胎发育。此方法能准确控制反义寡核苷酸的导入时间,但该方法对操作人员的技术要求很高,且每次只能注射一个胚胎,效率很低
因此,亟待寻求一种将外源基因或特异序列快速高效导入小鼠附植前胚胎的方法,为进一步深入研究小鼠早期胚胎发育机理提供技术支持。
电穿孔技术主要是利用瞬时的脉冲电场改变细胞膜脂质双层的结构,使细胞膜形成暂时性的孔洞,大分子在电场的作用下进入细胞或胚胎。在成功的电转中,电通透作用和电泳作用起着非常关键的作用,此外,大分子的被动扩散和细胞内吞也起了一定的作用。而利用电穿孔技术将质粒DNA或反义寡核苷酸导入附植前胚胎的报道至今未见。
发明内容
本发明解决的问题在于提供一种质粒DNA或反义寡核苷酸转染附植前胚胎的方法,实现对胚胎进行安全、简便、高效的转染。
本发明是通过以下技术方案来实现:
一种质粒DNA或反义寡核苷酸转染附植前胚胎的方法,包括以下步骤:
1)将待转染的质粒DNA用电转缓冲液稀释至浓度为10~80μg/ml,得到质粒DNA电穿孔溶液;
或者将待转染的反义寡核苷酸用电转缓冲液稀释至浓度为0.2mM,得到反义寡核苷酸电穿孔溶液;
2)将待转染的附植前胚胎置于酸性台氏液中,室温孵育10~20s,然后终止消化并清洗;
3)将质粒DNA电穿孔溶液或反义寡核苷酸电穿孔溶液加入电转皿两根电极之间的凹槽中,将附植前胚胎线性排列在电转皿的两根电极之间,在脉冲电场下,利用电穿孔法对附植前胚胎进行转染。
所述的质粒DNA在转染前还进行去内毒素处理,将去内毒素处理的质粒DNA用电转缓冲液进行稀释。
所述的将附植前胚胎在进行酸性台氏液处理之前,还对胚胎用H-KSOM溶液清洗。
所述的终止消化是将胚胎从酸性台氏液转移到H-KSOM溶液中清洗,然后再用溶液清洗。
所述的转染的质粒DNA为带有荧光基因的质粒DNA;
所述的反义寡核苷酸在转染前还进行lissamine标记,将lissamine标记的反义寡核苷酸用电转缓冲液进行稀释。
所述的转染的质粒DNA包括一种或多种以上序列不同的质粒DNA。
所述的附植前胚胎包括处于不同发育时期的附植前胚胎。
所述的电穿孔法进行质粒DNA转染的参数控制为:电压20V~40V;脉冲时间1~2ms;脉冲次数3~4次。
所述的附植前胚胎为小鼠附植前胚胎,电转参数控制为:电压20V~40V;脉冲时间1~2ms;脉冲次数3~4次。
所述的电穿孔完成后,将转染后的胚胎清洗并转移入KSOMaa培养液中培养。
与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:
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