[发明专利]一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件无效
| 申请号： | 201110404057.4 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102437181A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 钱钦松;刘斯扬;万维俊;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 横向 绝缘 栅双极型 器件 | ||
1.一种N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有埋氧(2)，在埋氧(2)上设有N型外延层(3)，在N型外延层(3)的内部设有N型缓冲阱(4)和P型体区(14)，在N型缓冲阱(4)内设有P型阳区(5)，在P型体区(14)中设有N型阴区(13)和P型体接触区(12)，在N型外延层(3)的表面设有栅氧化层(10)和场氧化层(8)且栅氧化层(10)的一端和场氧化层(8)的一端相抵，所述栅氧化层(10)的另一端向N型阴区(13)延伸并止于N型阴区(13)，所述场氧化层(8)的另一端向P型阳区(5)延伸并止于P型阳区(5)，在栅氧化层(10)的表面设有多晶硅栅(9)且多晶硅栅(9)延伸至场氧化层(8)的表面，在场氧化层(8)、P型体接触区(12)、N型阴区(13)、多晶硅栅(9)和P型阳区(5)的表面设有钝化层(7)，在P型阳区(5)表面连接有第一金属层(6)，在P型体接触区(12)和N型阴区(13)连接有第二金属层(11)，其特征在于，在N型外延层(3)内且在栅氧化层(10)的下方设有P型阱区(15)，P型阱区(15)和P型体区(14)构成阶梯状P型掺杂，所述P型阱区(15)的P型掺杂浓度低于P型体区(14)，且P型阱区(15)的一侧与场氧化层(8)相切，P型阱区(15)的另一侧与P型体区(14)相抵。
2.根据权利要求1所述的N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件，其特征在于所述P型阱区(15)的掺杂浓度是P型体区(14)掺杂浓度的十分之一到五分之一。
3.根据权利要求1所述的N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型器件，其特征在于所述P型阱区(15)的结深是P型体区(14)结深的三分之一到二分之一。
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