[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。

背景技术

与液晶显示(LCD)设备不同，有机发光二极管(OLED)显示器具有自发光特性，并且不需要独立的光源。因此，OLED显示器的厚度和/或重量得以减小。OLED显示器可以呈现出诸如低功耗、高亮度和高响应速度之类的质量特性。因此，OLED显示器做了下一代显示器设备而得到关注。

发明内容

实施例可以通过提供一种有机发光二极管显示器来实现，所述有机发光二极管显示器包括其上形成有多个有机发光元件的基板和形成在所述基板上并覆盖所述有机发光元件的薄膜封装层，其中所述薄膜封装层包括第一多孔无机层和形成在所述第一多孔无机层上的第二无机层。

所述第一多孔无机层可以由氮碳化硅(SiCN)制成，并且所述第二无机层可以由氮化硅(SiN)制成。

多个第一多孔无机层和多个第二无机层可以交替形成。

所述第一多孔无机层的层密度可以大于大约1.4g/cm³，并且小于大约1.8g/cm³。

所述第二无机层的层密度可以大于大约2.0g/cm³，并且小于大约3.5g/cm³。

所述第一多孔无机层的折射率可以大于大约1.5，并且小于大约1.75。

所述第一多孔无机层的厚度可以为大约0.5μm到大约1.5μm。

所述第二无机层的厚度可以为大约0.5μm到大约1.5μm。

实施例还可以通过提供一种制造有机发光二极管显示器的方法来实现，所述方法包括：在形成有多个有机发光元件的基板上形成覆盖所述多个有机发光元件的第一多孔无机层；以及形成覆盖所述第一多孔无机层的第二无机层。

所述第一多孔无机层可以由氮碳化硅(SiCN)制成，并且所述第二无机层可以由氮化硅(SiN)制成。

所述第一多孔无机层可以通过混合包括SiH₄、NH₃、N₂、H₂和C₂H₂的材料而形成。

所述第二无机层可以通过混合包括SiH₄、NH₃、N₂和H₂的材料而形成。

附图说明

通过结合附图对示例性实施例进行详细描述，特征对于本领域技术人员来说将变得明显，附图中：

图1示出根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的等效电路。

图2示出根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的部分放大截面图。

图3和图4顺序示出图2所示的有机发光二极管(OLED)显示器的示例性制造方法的步骤。

图5A示出在第二像素电极上形成第一无机层的情况下在形成第一无机层之后经过140小时时打开的有机发光二极管(OLED)显示器的图像。

图5B示出在第二像素电极上形成第一无机层的情况下在形成第一无机层之后经过410小时时打开的有机发光二极管(OLED)显示器的图像。

图6A示出在第二像素电极上顺序形成有机层和第二无机层的情况下在形成第二无机层之后经过20小时时打开的有机发光二极管(OLED)显示器的图像。

图6B示出在第二像素电极上顺序形成有机层和第二无机层的情况下在形成第二无机层之后经过92小时时打开的有机发光二极管(OLED)显示器的图像。

图7A示出在第二像素电极上顺序形成第一多孔无机层和第二无机层的情况下在形成第二无机层之后经过140小时时打开的有机发光二极管(OLED)显示器的图像。

图7B示出在第二像素电极上顺序形成第一多孔无机层和第二无机层的情况下在形成第二无机层之后经过410小时时打开的有机发光二极管(OLED)显示器的图像。

具体实施方式

以下结合附图更充分地描述示例实施例，然而，这些实施例可以不同的形式体现，并且不应当被解释为限于这里所记载的实施例。相反，提供这些实施例的目的在于使该公开内容全面完整，并且向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。