[发明专利]压电纳米线的叠层结构及其制造方法有效
申请号: | 201110404235.3 | 申请日: | 2011-12-07 |
公开(公告)号: | CN102522493A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 万里兮;周静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L41/18 | 分类号: | H01L41/18;H01L41/22;B82Y15/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;王宝筠 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 纳米 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种压电纳米线的叠层结构,其特征在于,包括:
第一导电层;
第一导电层上压电层,所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠;
压电层上的第二导电层。
2.根据权利要求1所述的叠层结构,其特征在于,所述压电纳米线的材料为氧化锌、二氧化硅或四氧硫化镓。
3.根据权利要求1所述的叠层结构,其特征在于,所述压电纳米线的直径为10nm-100um。
4.根据权利要求1所述的叠层结构,其特征在于,所述压电纳米线的长度为300nm-10mm。
5.根据权利要求1所述的叠层结构,其特征在于,所述压电层的厚度为500nm-10000um。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的叠层结构,其特征在于,所述堆叠中的压电纳米线基本上有序或无序地平行于第一导电面排列。
7.根据权利要求1所述的叠层结构,其特征在于,所述第一导电层和第二导电层的厚度为100nm-10mm。
8.一种压电纳米线的叠层结构的制造方法,其特征在于,包括:
提供衬底;
在所述衬底上生长压电纳米线;
将多条压电纳米线从衬底上剥离;
将多条压电纳米线堆叠后进行压合,以形成压电层;
在压电层相对的表面上分别形成第一导电层和第二导电层。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,将多条压电纳米线堆叠后进行压合的步骤包括:
将剥离后的压电纳米线浸泡在挥发性液体中;
将包含多条压电纳米线的挥发性液体倒于第一衬垫片上,在挥发性液体挥发后,将第二衬垫片放置于压电纳米线之上;
从第一衬垫片及第二衬垫片施加压力进行压合,以形成由多条压电纳米线堆叠而成的压电层;
去除第一衬垫片及第二衬垫片。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,将多条压电纳米线堆叠后进行压合的步骤包括:
将剥离后的压电纳米线浸泡在过滤液体中;
通过过滤膜将过滤液体去除;
从过滤膜上将压电纳米线剥离并将压电纳米线堆叠在第一衬垫片上,并将第二衬垫片放置于压电纳米线之上;
从第一衬垫片及第二衬垫片施加压力进行压合,以形成由多条压电纳米线堆叠而成的压电层;
去除第一衬垫片及第二衬垫片。
11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述压电纳米线的材料为氧化锌、二氧化硅或四氧硫化镓。
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