[发明专利]一种微米尺度有机小分子单晶材料及其制备方法

权利要求书

1.一种微米尺度有机小分子单晶材料的制备方法，其特征在于，该方法包括利用有机半导体材料在介电材料表面形成有机半导体纳米薄膜，并在无水无氧条件下将表面形成有有机半导体纳米薄膜的介电材料进行退火，使所述纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料，再利用气相生长法使所述有机单晶纳米材料生长，以在介电材料表面形成微米尺度有机小分子单晶材料，其中，所述纳米薄膜的厚度为0.1-10nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述纳米薄膜的厚度为0.8-3.2nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述纳米薄膜的制备方法为真空蒸发镀膜法，所述真空蒸发镀膜的条件包括沉积速度为0.001-0.01nm/s，真空度为1×10^-5-1×10^-7mbar，沉积时介电材料所处的温度为20-30℃，沉积时间为30-300s。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电材料为SiO₂、聚苯乙烯、聚酰亚胺和聚甲基丙烯酸甲酯中的一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机半导体材料为并五苯。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火的条件包括温度为60-160℃和时间为20-360min。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，利用气相生长法使所述有机单晶纳米材料生长的方式包括：在载气流动或在无水无氧的密封条件下，让蒸发源蒸发得到的蒸汽与所述退火后的产物接触以使有机单晶纳米材料生长，所述蒸发源与所述有机半导体纳米薄膜的材质相同。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述气相生长的沉积速度为1-10nm/s。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，所述蒸汽的温度为220-300℃，所述退火后的产物所处的温度为60-180℃。

10.由权利要求1-9中任意一项所述的方法制得的微米尺度有机小分子单晶材料。