[发明专利]半导体装置、其制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，其配置为背照射型固体摄像装置并包括：

层叠半导体芯片，其通过使两个以上半导体芯片单元彼此接合而形成，并且在该层叠半导体芯片中，至少在第一半导体芯片单元中形成有像素阵列和多层布线层并在第二半导体芯片单元中形成有逻辑电路和多层布线层；

半导体除去区，在该半导体除去区中，所述第一半导体芯片单元的一部分的半导体部被全部除去；以及

多个连接布线，它们形成于所述半导体除去区中，并且用于将所述第一半导体芯片单元和所述第二半导体芯片单元彼此连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述连接布线包括：

第一连接导体，其连接于第一连接焊盘，该第一连接焊盘连接于所述第一半导体芯片单元中的多层布线层内的所需的布线；

贯通连接导体，其贯穿所述第一半导体芯片单元而连接于第二连接焊盘，该第二连接焊盘连接于所述第二半导体芯片单元中的多层布线层内的所需的布线；以及

第二连接导体，其将所述第一连接导体和所述贯通连接导体彼此连接。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中形成有兼用作防反射膜的保护性绝缘膜，其从所述半导体除去区的暴露表面延伸至形成有所述像素阵列的半导体基板的表面。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，在所述第一半导体芯片单元中，所述第一连接焊盘由多层布线层的第一层金属制成，并且连接于所述第一连接焊盘的所需的布线由继第二层金属后的层的金属制成。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，形成有由所述第一连接焊盘和所需的布线之间的层的金属制成的屏蔽布线。

6.如权利要求3-5中任一项所述的半导体装置，还包括埋入所述半导体除去区中的绝缘膜以及贯穿所述绝缘膜的所述第一连接导体和所述贯通连接导体。

7.如权利要求3-5中任一项所述的半导体装置，还包括：

连接焊盘阵列，在该连接焊盘阵列中，沿水平方向和垂直方向交替布置有各为八边形的所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘，并且以所述水平方向布置的成对的第一连接焊盘和第二连接焊盘沿所述垂直方向以多级布置，

其中，所述第二连接焊盘的面积设定为大于所述第一连接焊盘的面积，并且，分别对应于垂直信号线的所需的布线连接于以所述多级布置的所述成对的第一连接焊盘和第二连接焊盘。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述连接焊盘阵列夹着所述像素阵列而设置于彼此相对的两个外侧，并且，分别对应于所述垂直信号线的所需的布线交替连接于所述两个外侧的所述连接焊盘阵列。

9.如权利要求3-5中任一项所述的半导体装置，还包括：

连接焊盘阵列，在所述连接焊盘阵列中，沿垂直方向和水平方向布置有以所述垂直方向布置的成对的第一连接焊盘和第二连接焊盘，并且所述成对的第一连接焊盘和第二连接焊盘沿所述垂直方向以多级布置，

其中，分别连接于垂直信号线的所需的布线连接于以所述多级布置的所述成对的第一连接焊盘和第二连接焊盘。

10.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置配置为背照射型固体摄像装置，所述方法包括以下步骤：

使两个以上半导体晶片彼此接合，所述半导体晶片至少包括第一半导体晶片和第二半导体晶片，在所述第一半导体晶片中，在用作第一半导体芯片单元的区域中形成有像素阵列和多层布线层，在所述第二半导体晶片中，在用作第二半导体芯片单元的区域中形成有逻辑电路和多层布线层；

通过将所述第一半导体晶片中的用作所述第一半导体芯片单元的所述区域的一部分的半导体部全部除去，形成半导体除去区；

在所述半导体除去区中形成用于将所述第一半导体芯片单元和所述第二半导体芯片单元连接的多个连接布线；并且

将形成为成品的所述半导体晶片分割成芯片。