[发明专利]一种禁带宽度可调的碲锌镉薄膜材料的制备方法无效
申请号: | 201110404998.8 | 申请日: | 2011-12-08 |
公开(公告)号: | CN102492927A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 褚君浩;曹鸿;王善力;江锦春;邬云骅;潘健亮;张传军;葛杰 | 申请(专利权)人: | 上海太阳能电池研究与发展中心 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽度 可调 碲锌镉 薄膜 材料 制备 方法 | ||
1.一种禁带宽度可调的碲锌镉薄膜材料的制备方法,其特征在于步骤如下:
A.基片清洗
清洗工艺过程为:有机溶剂丙酮或酒精→去离子水→盐酸→去离子水→在超净环境下氮气吹干;
B.Cd1-xZnxTe复合薄膜的生长
将基片固定在磁控溅射腔室的基片台上,将由Zn掺杂,掺杂剂量比为0wt%-80wt%的Cd1-xZnxTe靶和Zn靶安装在各自的靶枪上,将溅射腔真空抽至2.9×10-3Pa,然后在基片上依次生长Cd1-xZnxTe/Zn/Cd1-xZnxTe/Zn薄膜,其厚度依次控制在100-1000nm/20-100nm/200-2000nm/20-1000nm;
或者在基片上依次生长Zn/Cd1-xZnxTe/Zn/Cd1-xZnxTe/Zn薄膜,其厚度依次控制在10-50nm/100-1000nm/20-100nm/200-2000nm/20-1000nm;
Cd1-xZnxTe薄膜的磁控溅射参数设定为:溅射功率20-50W,溅射气体为高纯Ar气,溅射气压为2.0-3.8Pa,基片温度为298-673K;
Zn薄膜的磁控溅射参数设定为:溅射功率30-50W,溅射气体为高纯Ar气,溅射气压为1.0-2.0Pa,基片温度为298-673K;
C.将上述生长好的复合结构薄膜放入快速退火炉中,抽真空至10Pa,通过调节针孔阀,控制通入的高纯空气的流量,使快速退火炉内的压强为7.5×104Pa,退火温度473-673K,退火时间20-40min,自然冷却到室温取出。
2.根据权利要求1的一种禁带宽度可调的碲锌镉薄膜材料的制备方法,其特征在于:所说的基片为玻璃片、镀Mo的不锈钢、镀Mo的聚酰亚胺。
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