[发明专利]传送直流电力的光伏串的断开有效
申请号: | 201110405188.4 | 申请日: | 2011-12-08 |
公开(公告)号: | CN102545148B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 利龙·哈尔-沙伊;阿龙·祖海尔;Y·戈林;M·阿德斯特 | 申请(专利权)人: | 太阳能安吉科技有限公司 |
主分类号: | H02H3/22 | 分类号: | H02H3/22 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
地址: | 以色列霍*** | 国省代码: | 以色列;IL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传送 直流 电力 光伏串 断开 | ||
1.一种直流(DC)电力合成器,其能够操作以互连多个互连的光伏串,所述DC电力合成器包括:
适用于将至少一个光伏串与所述多个互连的光伏串断开的装置,每个光伏串能通过第一DC电源线和第二DC电源线连接,所述装置包括:
差动电流传感器,其适用于通过比较所述第一DC电源线和所述第二DC电源线中的各自的电流来测量差动电流;
第一开关,所述第一开关与所述第一DC电源线串联;
控制模块,所述控制模块被能够操作地连接到所述差动电流传感器和所述第一开关;
其中,所述控制模块能够操作以便当所述差动电流传感器测量到所述差动电流大于最大的允许电流差时打开所述第一开关,从而将所述第一DC电源线与所述DC电力合成器隔离,并且将所述光伏串与所述互连的光伏串断开。
2.根据权利要求1所述的DC电力合成器,还包括并联到所述第一开关以形成第一单元的第二开关,其中所述第一单元与所述第一DC电源线串联。
3.根据权利要求2所述的DC电力合成器,当所述第一开关闭合、所述差动电流传感器测量到所述差动电流大于最大的允许电流差动时,则所述控制模块打开所述第一开关并且随后打开所述第二开关。
4.根据权利要求2所述的DC电力合成器,其中所述第一开关允许通过在所述第一DC电源线中流动的电流中的实质上较多的电流,并且所述第二开关允许通过在所述第一DC电源线中流动的电流中的实质上较少的电流。
5.根据权利要求1所述的DC电力合成器,还包括:
第三开关和第四开关,所述第三开关和所述第四开关被并联以形成第二单元,其中所述第二单元与所述第二DC电源线串联;以及
其中,所述第三开关是闭合的并且所述第四开关是闭合的,当所述差动电流传感器测量到所述差动电流大于最大的允许电流差时,则所述控制模块打开所述第三开关并且随后打开所述第四开关。
6.根据权利要求5所述的DC电力合成器,其中所述第三开关允许通过在所述第二DC电源线中流动的电流中的实质上较多的电流,并且所述第四开关允许通过在所述第二DC电源线中流动的电流中的实质上较少的电流。
7.根据权利要求2所述的DC电力合成器,其中所述光伏串开始产生DC电力,所述第一开关是打开的并且所述第二开关是打开的,所述控制模块闭合所述第二开关并且随后闭合所述第一开关。
8.根据权利要求5所述的DC电力合成器,其中所述第三开关是打开的并且所述第四开关是打开的,所述控制模块闭合所述第四开关并且随后闭合所述第三开关。
9.根据权利要求2所述的DC电力合成器,其中所述第二开关从包括了绝缘栅双极晶体管(IGBT)、具有集成二极管的IGBT、固态开关、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、场效应晶体管(FET)的组中选出。
10.根据权利要求5所述的DC电力合成器,其中所述第四开关从包括了绝缘栅双极晶体管(IGBT)、具有集成二极管的IGBT、固态开关、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、场效应晶体管(FET)的组中选出。
11.根据权利要求1所述的DC电力合成器,其中所述第一开关从包括了继电器、断路器的组中选出。
12.根据权利要求5所述的DC电力合成器,其中所述第三开关从包括了继电器、断路器的组中选出。
13.一种用于提供接地故障保护的方法,所述方法在能够操作以互连多个光伏串的直流(DC)电力合成器中执行,其中每个光伏串能够通过第一DC电源线和第二DC电源线连接,所述方法包括以下步骤:
通过比较所述第一DC电源线和所述第二DC电源线中的各自的电流来测量差动电流;以及
一旦控制模块测量到所述差动电流大于最大的允许电流差时,打开第一开关,从而将所述第一DC电源线与所述DC电力合成器隔离,并且将所述光伏串与所互连的光伏串断开。
14.根据权利要求13所述的方法,还包括:
并联所述第一开关和第二开关以形成第一单元,以及串联所述第一单元与所述第一DC电源线。
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