[发明专利]集成发光器件和太阳电池片的半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种集成发光器件和太阳电池片的半导体结构，其特征是：包括太阳能级Si衬底，在Si衬底的中间区域制成太阳能电池片，剩下的边缘si衬底作为LED器件的衬底，在上面制作LED器件。

2.据权利要求1所述的集成发光器件和太阳电池片的半导体结构，其特征是：在剩下的边缘Si衬底上设置半导体级Si薄膜，在半导体级Si薄膜依次生长GaN层和LnGaN层，并通过光刻制成LED器件。

3.据权利要求1所述的集成发光器件和太阳电池片的半导体结构的制作方法，其特征是：具有如下步骤：

a)在太阳能级Si衬底的正面制绒；

b)在Si衬底的正面扩散，形成P-N结；

c)正面去PSG；

d)正面减反射膜制备；

e)正反面金属化掩膜制备；

f)正反面金属化；

g)背面外延半导体级Si薄膜；

h)背面生长GaN层；

i)背面生长LnGaN层；

j)光刻形成LED颗粒；

k)LED颗粒与外部引线键合。