[发明专利]具有PIN二极管隔离的高压电阻器

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一掺杂区域，设置在所述衬底中；

第二掺杂区域，设置在所述衬底中，所述第二掺杂区域与所述第一掺杂区域进行相反的掺杂；

第三掺杂区域，设置在所述衬底中并且在所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域之间，所述第三掺杂区域具有比所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域低的掺杂浓度等级；

绝缘器件，设置在所述第一掺杂区域的一部分之上；以及

电阻器，设置在所述绝缘器件之上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂区域、所述第二掺杂区域和所述第三掺杂区域总体形成PIN二极管。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述衬底为P型衬底；

所述第一掺杂区域包括N型掺杂阱；

所述第二掺杂区域包括P型掺杂阱；以及

所述第三掺杂区域包括轻掺杂N型本征区域和轻掺杂P型本征区域中的一种。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三掺杂区域为外延层的部分；所述第三掺杂区域具有范围在大约40微米至大约70微米之间的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述电阻器包含多晶硅材料；以及

所述绝缘器件包含电介质材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻器为伸长结构，并且具有之字形状、正方形状和螺旋形状中的一种。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述电阻器之上的互连结构，所述互连结构包括：

第一接触部，电连接至所述第一掺杂区域；

第二接触部，电连接至所述电阻器中设置在所述电阻器的第一末端和第二末端之间的部分；以及

导线，将所述第一接触部和所述第二接触部电连接在一起。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述电阻器的部分大约位于所述电阻器的中点处。

9.一种高压半导体器件，包括：

衬底；

PIN二极管结构，形成在所述衬底中，所述PIN二极管包括位于第一掺杂阱和第二掺杂阱之间的本征区域，其中，所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱具有相反的掺杂极性，并且每一个都具有比所述本征区域大的掺杂浓度等级；

绝缘结构，形成在所述第一掺杂阱的一部分之上；

伸长电阻器件，形成在所述绝缘结构之上，所述电阻器件具有分别设置在所述电阻器件的相对端处的第一部分和第二部分；以及

互连结构，形成在所述电阻器件之上，所述互连结构包括：

第一接触部，电连接至所述第一掺杂阱；

第二接触部，电连接至所述电阻器中位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分；和

导线，将所述第一接触部和所述第二接触部电连接在一起。

10.一种制造高压半导体器件的方法，包括：

在衬底中形成本征区域；

在所述衬底中形成第一掺杂阱；所述第一掺杂阱被形成为与所述本征区域相邻并具有大于所述本征区域的掺杂浓度等级；

在所述衬底中形成第二掺杂阱，所述第二掺杂阱与所述第一掺杂阱进行相反的掺杂并具有大于所述本征区域的掺杂浓度等级，其中，所述本征区域设置在所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱之间；

在所述第一掺杂阱之上形成隔离结构；以及

在所述隔离结构之上形成电阻器。