[发明专利]一种提高DE类功率放大器工作效率的方法无效

专利信息
申请号: 201110406401.3 申请日: 2011-12-08
公开(公告)号: CN102420570A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 李康;刘昌 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 王绪银
地址: 250100 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 de 功率放大器 工作效率 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种提高DE类功率放大器工作效率的方法,属于电路设计技术领域。

背景技术

功率放大器作为无线通信系统中的重要器件,其主要作用是放大输出信号,使输出信号达到足够的功率,以满足天线辐射的要求,研究和发展高效率低损耗的功率放大器一直是人们追求的目标。

相对于传统的线性功率放大器,D类、E类、DE类等开关型功率放大器具有更高的效率。开关型功率放大器克服了传统线性功率放大器的缺点,使功率晶体管工作在开关状态,在任意时刻,功率晶体管内部的电压与电流的乘积很小,甚至趋于零,以此原理来降低功率晶体管损耗,提高功率放大器效率。

DE类功率放大器通过为D类功率放大器中的功率晶体管增加并联电容,使得每个功率晶体管工作时满足E类功率放大器零电压转换(ZVS)和零电压导数转换(ZDS)条件,既综合了D类和E类功率放大器的优点,继承了开关型功率放大器高效率的特点,又同时避免了D类和E类功率放大器的缺点,不会在功率晶体管内部同时出现电压和电流,对功率晶体管的工作电流和耐压性也无过高要求,因此DE类功率放大器成为了人们关注和研究的热点。

在DE类功率放大器中,并联电容是由外部电容和MOS场效应管寄生电容构成的,其中外部电容是线性的。在低频时,外部线性电容比MOS场效应管寄生电容大得多,在这种情况下,设计者可以忽略MOS场效应管寄生电容,而只考虑外部线性电容,将并联电容的取值等同于外部线性电容的取值来对DE类功率放大器进行设计。但是,随着工作频率的升高,并联电容的取值逐渐减小,MOS场效应管寄生电容在并联电容中所占比重越来越大,若此时仍按传统的方法计算并联电容,忽略MOS场效应管寄生电容的存在,将会对功率放大器性能造成严重影响,造成功率放大器损耗增加,工作效率降低。

发明内容

本发明提供了一种提高DE类功率放大器工作效率的方法。

一种提高DE类功率放大器工作效率的方法包括:

1)选定作为开关器件的MOS场效应管,获取该MOS场效应管的内建电势Vbi,其典型值为0.5-0.9V;vs=0时的电容Cj0,vs是MOS场效应管漏极和源级之间的电压;梯度系数m,其取值范围为0≤m≤1;

2)确定DE类功率放大器设计参数,包括电源电压VDD,设计输出功率Po,负载品质因数Q,工作频率f;

3)在DE类功率放大器的输入端与负载之间设置输入功率测量模块、输出功率测量模块、工作效率计算模块和显示模块;

4)利用下述公式分别计算DE类功率放大器的负载电阻RL,电感L0,电容C0,外部线性电容Cex

RL=VDD22Poπ2]]>

L0=QRL2πf]]>

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