[发明专利]磁控溅射设备中铜靶刻蚀形貌的仿真计算方法有效
申请号: | 201110406943.0 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102521445A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 王人成;胡伟;阎绍泽;季林红;程嘉 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;H01J37/32 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 张文宝 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁控溅射 设备 中铜靶 刻蚀 形貌 仿真 计算方法 | ||
1.磁控溅射设备中铜靶刻蚀形貌的仿真计算方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)通过ansys仿真或在xy平台上用三维高斯计测量,取得磁电管在靶材表面磁场强度的水平分量;
(2)对各点磁场强度数据进行多项式拟合,将离散数据变成连续的函数,以便于后续赋值计算;
(3)建立有效磁场数据矩阵,将拟合后曲线数值赋值于整个磁电管圆周表面,求得刻蚀跑道矩阵;
(4)根据磁电管实际结构及运动原理,计算磁铁组件中心点运动轨迹方程,即刻蚀跑道扫描路径;
(5)建立靶材刻蚀矩阵,选定步长,计算该步长上磁铁组件运动的确切位置,由磁电管磁场数据与靶材刻蚀程度成正比的对应关系,确定刻蚀系数,得到该步长上靶材刻蚀矩阵;
(6)将靶材刻蚀时间t离散化,由磁铁组件中心点运动轨迹方程,计算每一步长上离散点确切位置,将每一个离散点上的靶材刻蚀矩阵叠加,得到刻蚀时间t后靶材刻蚀矩阵;
(7)通过矩阵运算,得到需要的参数或图形,包括靶材刻蚀三维形貌、靶材刻蚀曲线、刻蚀跑道图形、运动轨迹图形、靶材利用率大小。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备中铜靶刻蚀形貌的仿真计算方法,其特征在于,所述步骤(1)中,对于具有周向对称性的磁电管,用磁电管直径方向磁场作为靶材表面磁场强度的水平分量。
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