[发明专利]高压射频横向扩散结构的功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压射频横向扩散结构的功率器件(100)的制造方法，包括步骤：

提供P型硅衬底(101)，其上形成有P型外延层(102)；

在所述P型外延层(102)上注入P型杂质，并经高温热处理形成P型沉降区(103)；

在所述P型外延层(102)上按照预定的器件结构进行局部氧化工艺，形成器件/电路部分的多个局部氧化隔离(104)；

依次热生长栅氧(105)和含第一N型杂质掺杂的多晶硅栅(106)，通过光刻和刻蚀工艺形成所述功率器件(100)的栅极(107)；

依次采用大角度离子注入方法在所述栅极(107)的两侧分别注入P型杂质形成P型体区(108)、注入第一N型杂质形成N型漂移区(109)，并高温推结；

依次采用离子注入方法分别在所述P型沉降区(103)中注入P型杂质形成P+区(110)、在所述P型体区(108)和所述N型漂移区(109)中注入第二N型杂质形成N+区(111)，并高温退火；

采用低温淀积方法在所述功率器件(100)的表面生成ONO结构，并用干法刻蚀法刻蚀所述ONO结构，在所述栅极(107)的两侧获得D型侧墙(112)；

采用湿法刻蚀法去除所述D型侧墙(112)表面的二氧化硅，在所述栅极(107)的两侧获得L型侧墙(113)；

采用低温淀积方法在所述功率器件(100)的表面形成预定厚度的阻挡层(114)，再在所述栅极(107)上方用硅化物阻挡层光刻版光刻并湿法刻蚀所述阻挡层(114)，在所述栅极(107)上方开出窗口(115)；

依次在所述窗口(115)区域采用溅射钛、快速热退火、漂洗、再快速热退火的工艺，在所述栅极(107)上方形成钛硅化物接触(116)。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述钛硅化物接触(116)之后还包括步骤：

在所述功率器件(100)的表面依次淀积非掺杂的硅玻璃(117)和氮化钛(118)，然后用场版光刻版进行光刻，并干法刻蚀获得浮悬的金属场版(119)；

在所述功率器件(100)的表面淀积层间介质(120)，并采用光刻刻蚀获得所述功率器件(100)的四端孔接口(121、122、123、124)。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在获得所述四端孔接口(121、122、123、124)之后还包括步骤：

将所述功率器件(100)所在的芯片背面减薄；

在所述芯片的背面依次蒸镀钛/铬、镍、金/银三层金属。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述P型杂质为硼离子，所述第一N型杂质为磷离子，所述第二N型杂质为砷离子。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述栅氧(105)的厚度为所述多晶硅栅(106)的厚度为

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述ONO结构包括厚度为的二氧化硅、厚度为的氮化硅，以及厚度为的二氧化硅。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅具体为正硅酸乙酯。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述窗口(115)区域溅射钛的厚度为

9.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述非掺杂的硅玻璃(117)的厚度为所述氮化钛(118)的厚度为

10.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述芯片背面减薄的厚度范围为180～350μm。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述金/银的厚度为1～2μm。