[发明专利]刻蚀超厚非感光性光刻胶的刻蚀方法

权利要求书

1.一种超厚非感光性光刻胶的刻蚀工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：

旋涂非感光性光刻胶；

旋涂光刻胶；

曝光光刻胶，并直接进行显影；

硅片刻蚀并进行清洗。

2.根据权利要求1所述的超厚非感光性光刻胶的刻蚀工艺方法，其特征在于，所述非感光性光刻胶为非感光性聚酰亚胺前驱体或非感光性聚酰亚胺。

3.根据权利要求2所述的超厚非感光性光刻胶的刻蚀工艺方法，其特征在于，湿法刻蚀药液为四甲基氢氧化氨TMAH，γ-丁内酯GBL，N-甲基吡咯烷酮NMP，丙二醇甲醚PGME，丙二醇甲醚醋酸酯PGMEA的纯溶液或混合溶液。

4.根据权利要求3所述的超厚非感光性光刻胶的刻蚀工艺方法，其特征在于，光刻胶厚度其旋涂后厚度＞15um。

5.根据权利要求4所述的超厚非感光性光刻胶的刻蚀工艺方法，其特征在于，光刻胶应用于400度以上高温工作环境，高温持续时间＞30分钟。

6.根据权利要求1所述的超厚非感光性光刻胶的刻蚀工艺方法，其特征在于，步骤1中的非感光性光刻胶的具体工艺流程为：

在150度～250度脱水预烘；

旋涂非感光性光刻胶；

在100～130度前烘；

在20度～30度室温冷却。