[发明专利]一种太阳能电池组件及其制造方法有效
申请号: | 201110407403.4 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN103165694B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 申请(专利权)人: | 聚日(苏州)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/054;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 朱海波 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池组件,该组件包括上封装体、第一导电结构、太阳能电池、第二导电结构以及下封装体,其中:
所述上封装体位于太阳能电池的进光面之上,所述太阳能电池具有前电极(107)和背电极(106),该前电极(107)和背电极(106)分别位于太阳能电池的进光面和背光面上,所述第一导电结构和第二导电结构分别与所述太阳能电池电性连接,其特征在于:
所述太阳能电池包括多个平行的条状太阳能电池单元,该太阳能电池单元的前电极(107)覆盖所述太阳能电池单元的部分进光面;
所述第一导电结构包括至少一根第一导电条(303),且所述第一导电结构与所述太阳能电池单元的前电极(107)相接触;
所述第二导电结构包括至少一根第二导电条(302),且所述第二导电结构与所述第一导电结构交错排列;
所述上封装体和/或下封装体的表面上具有光线调节结构。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,所述上封装体和/或下封装体中具有条状凹槽(301),所述太阳能电池单元嵌入在所述上封装体和/或下封装体中的条状凹槽(301)内。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其中,所述光线调节结构为绒面结构(305)。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其中,所述光线调节结构为柱面透镜或菲涅尔透镜阵列。
5.根据权利要求1或3所述的太阳能电池组件,其中:
所述上封装体包括上封装胶膜(304),或包括上封装胶膜(304)和位于该上封装胶膜(304)之上的盖层(307);和/或
所述下封装体包括下封装胶膜(300),或包括下封装胶膜(300)和位于该下封装胶膜(300)之下的底层(308)。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池组件,其中:
所述上封装胶膜(304)和下封装胶膜(300)的材料包括乙烯-乙酸乙烯脂共聚物(EVA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚氯乙烯(PVC)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、TPU、硅酮、离子交联聚合物、光固树脂中的一种或其任意组合。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池组件,其中:
所述盖层(307)和/或底层(308)的材料包括玻璃或聚合物及其组合;
其中玻璃包括:低铁玻璃、钢化玻璃、平板玻璃、有纹理玻璃、透紫外线玻璃、SiO2AR涂层玻璃中的一种或其任意组合;以及
聚合物包括:乙烯-四氟乙烯共聚物、聚氟乙烯、THV200、PET、乙烯-乙酸乙烯脂共聚物(EVA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚氯乙烯(PVC)、低密度聚乙烯(LDPE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、TPU、硅酮、离子交联聚合物、光固树脂中的一种或其任意组合。
8.根据权利要求1或3所述的太阳能电池组件,其中:
所述太阳能电池单元的材料包括单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe、多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、非晶Si、非晶Ge、非晶SiGe、III-V或II-VI族化合物半导体或其组合。
9.根据权利要求1或3所述的太阳能电池组件,其中,所述前电极(107)和/或背电极(106)的材料包括TCO或金属材料;
其中所述TCO包括:SnO2、In2O3、ZnO、ITO、CdO、Cd2SnO4、FTO、AZO或其组合;
所述金属材料包括Al、Cr、Cu、Ag、Au、Fe、Ni、Pb、Zn、Co、Ti、Mg、Sn中的一种或其任意组合。
10.根据权利要求1或3所述的太阳能电池组件,其中:
所述第一导电结构和所述第二导电结构的材料包括TCO或金属材料;
其中所述TCO包括:SnO2、In2O3、ZnO、ITO、CdO、Cd2SnO4、FTO、AZO或其组合;
所述金属材料包括Al、Cr、Cu、Ag、Au、Fe、Ni、Pb、Zn、Co、Ti、Mg、Sn中的一种或其任意组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的