[发明专利]齐纳二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种齐纳二极管，其特征在于，

在一N型阱内形成有P型重掺杂区，在所述P型重掺杂区内形成有N型重掺杂区，在所述P型重掺杂区同所述N型重掺杂区的交界处上方形成有第一绝缘介质层，在所述P型重掺杂区同所述N型重掺杂区的交界处的的第一绝缘介质层上方形成有多晶硅栅，所述多晶硅栅上引出齐纳二极管的控制栅极，所述P型重掺杂区引出齐纳二极管的阳极，所述N型重掺杂区中间处引出齐纳二极管的阴极。

2.根据权利要求1或2所述的齐纳二极管，其特征在于，

齐纳击穿发生在所述P型重掺杂区同所述N型重掺杂区的侧面PN结上。

3.根据权利要求1或2所述的齐纳二极管，其特征在于，

所述第一绝缘介质层为二氧化硅。

4.一种齐纳二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

一.在P型衬底上利用离子注入工艺注入N型杂质形成N型阱；

二.在所述N型阱内，形成有源区与隔离场区，在有源区上利用热氧化工艺形成第一绝缘介质层；

三.在所述N型阱内，利用离子注入工艺注入P型杂质形成P型重掺杂区；

四.在所述P型重掺杂区内，利用离子注入工艺注入N型杂质形成N型重掺杂区，所述P型重掺杂区同所述N型重掺杂区的界面形成齐纳二极管的PN结；

五.在硅片上利用化学气相沉积工艺淀积一层多晶硅，对所述多晶硅光刻、刻蚀，在所述P型重掺杂区上方的第一绝缘介质层上形生成环状多晶硅栅。

5.根据权利要求4所述的齐纳二极管的制造方法，其特征在于，还包括步骤六，在硅片上利用CVD工艺淀积第二绝缘介质层。

6.根据权利要求5所述的齐纳二极管的制造方法，其特征在于，还包 括步骤七，在第二绝缘介质层上利用CVD工艺淀积第三绝缘介质层。

7.根据权利要求6所述的齐纳二极管的制造方法，其特征在于，还包括步骤八，利用光刻、刻蚀工艺在齐纳二极管的P型重掺杂区、N型重掺杂区以及多晶硅栅上形成通孔并填入钨，分别引出齐纳二极管的阴极、阳极、控制栅极。

8.根据权利要求7所述的齐纳二极管的制造方法，其特征在于，还包括步骤九，在第三绝缘介质层表面利用CVD工艺淀积一层金属铝，利用光刻、刻蚀工艺形成齐纳二极管的阴极、阳极以及控制栅极的引线。

9.根据权利要求4到8任一项所述的齐纳二极管的制造方法，其特征在于，

步骤三中，在所述N型阱内，利用光刻、高能离子注入工艺形成P型重掺杂区，注入的P型杂质的能量在10到30KeV，剂量在1E14/cm²到1E15/cm²，利用退火工艺激活注入的P型杂质；

步骤四中，在所述P型重掺杂区内，利用光刻、高能N型离子注入工艺形成N型重掺杂区，注入的N型杂质的能量在10到30KeV，剂量在1E15/cm²到1E16/cm²，利用退火工艺激活注入的N型杂质。

10.根据权利要求6到8任一项所述的齐纳二极管的制造方法，其特征在于，

所述第一绝缘介质层为二氧化硅，所述第二绝缘介质层为3000埃到10000埃厚的二氧化硅，所述第三绝缘介质层为磷硅玻璃。