[发明专利]一种相变随机存储器阵列的制备方法

权利要求书

1.一种相变随机存储器阵列的制备方法，其特征在于，相变随机存储器阵列的每一层均依次经过清洗、匀胶、烘烤、光刻、镀膜和剥离制备获得。

2.根据权利要求1所述的相变随机存储器阵列的制备方法，其特征在于，相变随机存储器阵列依次包括下电极层、相变层和上电极层。

3.根据权利要求1所述的相变随机存储器阵列的制备方法，其特征在于，在下电极层与相变层之间，以及相变层和上电极层之间均包括绝缘层。

4.根据权利要求1所述的相变随机存储器阵列的制备方法，其特征在于，所述剥离具体包括下述过程：将镀膜后的的样品放入丙酮中进行浸泡，浸泡后超声，超声之后即将光刻胶及其上面的镀膜材料剥离干净，剥离干净后用相继用酒精、去离子水冲洗后干燥。

5.根据权利要求1所述的相变随机存储器阵列的制备方法，其特征在于，所述清冼具体包括下述过程：将样品放入丙酮中超声，超声之后相继用酒精、去离子水冲洗，干燥去除表面水分。

6.根据权利要求1所述的相变随机存储器阵列的制备方法，其特征在于，采用的薄膜工艺为溅射法、蒸发法、化学气相淀积法、热氧化法或者金属有机物热分解法中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的相变随机存储器阵列的制备方法，其特征在于，相变随机存储器阵列中所使用的电极材料为单金属材料或者为合金材料。

8.根据权利要求1所述的相变随机存储器阵列的制备方法，其特征在于，电极层的薄膜厚度为1nm-1000nm，相变层的薄膜厚度为1nm-200nm。

9.根据权利要求3所述的相变随机存储器阵列的制备方法，其特征在于，在绝缘层上制备直径为1nm-2000nm的小孔。

10.根据权利要求9所述的相变随机存储器阵列的制备方法，其特征在于，所述小孔的制备工艺为电子束光刻法、紫外线光刻法或纳米压印法中的任意一种。