[发明专利]防止IO上电过程中产生大电流的电平转换器结构无效
申请号: | 201110408040.6 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN103166622A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 李云艳 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 io 过程 产生 电流 电平 转换器 结构 | ||
1.一种防止IO上电过程中产生大电流的电平转换器结构,其特征在于:包括电平转换模块和电流抑制模块;所述电平转换模块包括第一N型场效应管、第二N型场效应管、P型场效应管、第一反相器、第二反相器和第三反相器,第三反相器连接信号输入端;所述电流抑制模块包括第一耦合电容和第二耦合电容;
其中,所述第一N型场效应管的栅极连接信号输入端,源极及其衬底接地;
所述第二N型场效应管的栅极连接第三反相器的输出端,源极及其衬底接地;
所述第一反相器的输入端和第二反相器的输出端均与第一N型场效应管的漏极连接;
所述第一反相器的输出端和第二反相器的输入端均与第二N型场效应管的漏极连接,同时都与P型场效应管的栅极连接;
所述P型场效应管的源极及其衬底连接输入输出电源,漏极用于输出;
所述第一耦合电容一端接地,另一端连接第一N型场效应管的漏极,第二耦合电容一端接输入输出电源,另一端连接P型场效应管的栅极;
所述第一反相器和第二反相器由输入输出电源供电,第三反相器由内核电源供电。
2.根据权利要求1所述的防止IO上电过程中产生大电流的电平转换器结构,其特征在于:所述电平转换器结构还包括由内核电源供电的第一缓冲器,所述第一缓冲器连接输入端,其输出端连接第一N型场效应管的栅极。
3.根据权利要求1所述的防止IO上电过程中产生大电流的电平转换器结构,其特征在于:所述电平转换器结构还包括第二缓冲器,所述第二缓冲器的输入端与第二N型场效应管的漏极连接,输出端与P型场效应管的栅极连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110408040.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:图形编码数据校验方法及系统
- 下一篇:一种电池保护电路及防爆型照明装置