[发明专利]一种空心硅芯的搭接方法

权利要求书

1.一种空心硅芯的搭接方法，包括横硅芯管(1)和竖硅芯管(5)，其特征是：所述横硅芯管(1)的两端分别通过榫卯接、插接或卡接与两根竖硅芯管(5)的上端连接形成“∏”字形结构。

2.根据权利要求1所述的空心硅芯的搭接方法，其特征是：所述横硅芯管(1)的两端分别通过卡接与两根竖硅芯管(5)的上端连接形成“∏”字形结构，在横硅芯管(1)的两端下部分别设置连接斜面(2)，所述连接斜面(2)与设置在两竖硅芯管(5)上端的连接斜面(2)相对应，在横硅芯管(1)的两连接斜面(2)上分别设有缩口卯槽(3)或扩宽榫块(4)，在两竖硅芯管(5)上端的连接斜面(2)上分别设有扩宽榫块(4)或缩口卯槽(3)，也就是横硅芯管(1)的两连接斜面(2)上分别设为缩口卯槽(3)时，所述两竖硅芯管(5)上端连接斜面(2)上便分别设为扩宽榫块(4)，由两竖硅芯管(5)上端与横硅芯管(1)的两端卡接形成“∏”字形结构。

3.根据权利要求1所述的空心硅芯的搭接方法，其特征是：所述横硅芯管(1)的两端分别通过插接与两根竖硅芯管(5)的上端连接形成“∏”字形结构，所述插接为在横硅芯管(1)的两端下部分别设有连接斜面(2)，两竖硅芯管(5)上端的相对一侧分别设有连接斜面(2)，所述横硅芯管(1)的两端管孔内分别插入“L”形接头(6)的一端，两“L”形接头(6)的另一端分别插在两竖硅芯管(5)的上端管孔内形成“∏”字形结构。

4.根据权利要求1所述的空心硅芯的搭接方法，其特征是：所述横硅芯管(1)的两端分别通过插接与两根竖硅芯管(5)的上端连接形成“∏”字形结构的另一替换结构，在横硅芯管(1)两端的两侧分别设有开口(9)，所述开口(9)上下的横硅芯管(1)本体形成插接片(7)，在两竖硅芯管(5)的上部两侧分别间隔设有两个插接口(8)，所述横硅芯管(1)两端的插接片(7)与两竖硅芯管(5)上部的插接口(8)插接形成“∏”字形结构；或在横硅芯管(1)的两端分别设有一个插接片(7)，在两竖硅芯管(5)的上部两侧分别设有一个插接口(8)，所述横硅芯管(1)两端的插接片(7)与两竖硅芯管(5)上部的插接口(8)插接形成“∏”字形结构。

5.根据权利要求1所述的空心硅芯的搭接方法，其特征是：所述横硅芯管(1)的两端分别通过插接与两根竖硅芯管(5)的上端连接形成“∏”字形结构的第三替换结构，将横硅芯管(1)两端的下部半圆切屑掉，保留上部半圆，所述上部半圆为半圆形片(12)，在两半圆形片(12)上分别设有贯通的插孔(11)，所述横硅芯管(1)两端的半圆形片(12)插孔(11)分别通过倒锥形锁块(10)依次穿过插孔(11)、两竖硅芯管(5)上端的管孔形成“∏”字形结构。

6.根据权利要求5所述的空心硅芯的搭接方法，其特征是：在两竖硅芯管(5)的上端设置为导圆端头(13)，所述导圆端头(13)与横硅芯管(1)两端的半圆形片(12)的内凹面匹配。

7.根据权利要求1所述的空心硅芯的搭接方法，其特征是：所述横硅芯管(1)的两端分别通过卡接与两根竖硅芯管(5)的上端连接形成“∏”字形结构，在横硅芯管(1)两边的两侧分别设有切削限位面(14)，所述竖硅芯管(5)的上端两侧分别设有“U”形开口(15)，横硅芯管(1)两边的切削限位面(14)卡在两竖硅芯管(5)上端的“U”形开口(15)内形成“∏”字形结构。

8.根据权利要求1所述的空心硅芯的搭接方法，其特征是：所述横硅芯管(1)的两端分别通过卡接与两根竖硅芯管(5)的上端连接形成“∏”字形结构的另一替换结构，在横硅芯管(1)两端的上下面上分别设有“U”形开口(15)，在两竖硅芯管(5)的上部前后面上分别设有切削限位面(14)，所述两竖硅芯管(5)上部的切削限位面(14)卡接在横硅芯管(1)两端的“U”形开口(15)内形成“∏”字形结构。

9.根据权利要求1～8任一权利要求所述的空心硅芯的搭接方法，其特征是：两竖硅芯管(5)的下端分别设置为平面或外部导圆(16)或内部导圆(17)，所述两竖硅芯管(5)下端的平面或外部导圆(16)或内部导圆(17)与炉体内的石墨座或钨座或钼座的正负电极连接形成一个闭合回路。

10.根据权利要求9所述的空心硅芯的搭接方法，其特征是：在两竖硅芯管(5)下端分别设置的平面上设有至少一个向下延伸的插接固定片(18)，两插接固定片(18)与炉体内的石墨座或钨座或钼座的正负电极连接形成一个闭合回路。