[发明专利]磁场电流传感器

权利要求书

1.一种磁场电流传感器，包括：

半导体管芯，具有第一和第二相对的表面并且包括至少一个磁场感测元件；以及

单一导体，包括足迹部分、第一和第二支柱部分以及第一和第二接触部分，第一支柱部分具有第一高度并且将第一接触部分耦合到足迹部分，第二支柱部分具有第一高度并且将第二接触部分耦合到足迹部分，第一高度是将足迹部分与第一和第二接触部分分开的单调竖直尺寸，并且足迹部分将导体耦合到管芯的第一表面，使得足迹部分基本上平行于管芯的第一表面且处于第一表面的周界内，并且第一和第二接触部分比第二表面更靠近第一表面。

2.权利要求1的磁场电流传感器，其中导体包括在足迹部分中形成的至少一个切口。

3.权利要求2的磁场电流传感器，其中切口的端部具有半径。

4.权利要求2的磁场电流传感器，其中切口为大约0.3mm宽和大约0.5mm长。

5.权利要求2的磁场电流传感器，其中切口的宽度等于或大于导体的厚度。

6.权利要求1的磁场电流传感器，其中足迹部分的边沿以大约0.1mm至大约1mm的范围内的距离与管芯的第一表面的周界分开。

7.权利要求1的磁场电流传感器，其中第一和第二支柱部分近似垂直于足迹部分以及第一和第二接触部分。

8.权利要求1的磁场电流传感器，其中足迹部分将导体耦合到管芯的第一表面，使得第一和第二接触部分延伸超出以竖直距离分开的管芯第一表面的周界。

9.权利要求1的磁场电流传感器，其中足迹部分的将足迹部分耦合到第一表面的表面面积为第一表面的面积的至少大约25%。

10.权利要求1的磁场电流传感器，进一步包括足迹部分与管芯的第一表面之间的隔离层。

11.权利要求1的磁场电流传感器，其中足迹部分通过粘合剂或焊接膏之一耦合到第一表面。

12.权利要求1的磁场电流传感器，其中导体由片状金属形成。

13.权利要求12的磁场电流传感器，其中片状金属具有大约0.1mm至大约0.6mm的范围内的恒定厚度。

14.权利要求1的磁场电流传感器，其中所述至少一个磁场感测元件接近管芯的第一表面。

15.权利要求1的磁场电流传感器，其中所述至少一个磁场感测元件接近管芯的第二表面。

16.权利要求1的磁场电流传感器，其中足迹部分的横截面面积小于第一接触部分或第二接触部分的横截面面积。

17.权利要求1的磁场电流传感器，进一步包括包封管芯和导体的封装。

18.一种磁场电流传感器，包括：

管芯，具有至少一个磁场感测元件；

多个接触，设置在第一平面内并且耦合到管芯；

导体，包括第一和第二接触部分，第一和第二接触被电气耦合且设置在与第一平面不同的第二平面内，并且导体耦合到管芯且与管芯电气隔离；以及

模具主体，包封管芯、所述多个接触以及第一和第二接触部分。

19.权利要求18的磁场电流传感器，进一步包括环状密封，该环状密封被设置成邻近模具主体以防止第一和第二平面之间的沿着模具主体的表面的爬电电流。

20.权利要求19的磁场电流传感器，其中环状密封包括O形环。

21.权利要求18的磁场电流传感器，其中所述密封包括被配置用于安装在传感器模块中的肩部结构的至少一部分。

22.权利要求21的磁场电流传感器，其中传感器模块被配置成安装到印刷电路板。

23.权利要求18的磁场电流传感器，其中所述密封设置在第一和第二平面之间。

24.权利要求18的磁场电流传感器，其中所述密封设置在第一或第二平面之一内。

25.权利要求18的磁场电流传感器，其中所述多个接触将管芯耦合到引线框架。

26.权利要求18的磁场电流传感器，其中第一平面位于第二平面上方。