[发明专利]半导体腔室用压片装置有效

专利信息
申请号: 201110408402.1 申请日: 2011-12-09
公开(公告)号: CN103165375A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 李超波;屈芙蓉;陈瑶;刘传钦;夏洋 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 刘丽君
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 半导体 腔室用 压片 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体腔室用压片装置,其特征在于,包括:

反应腔室、压片架和载片机构;

所述压片架设置在所述反应腔室的上半部;所述反应腔室设置有腔室内衬,所述腔室内衬与所述压片架连接;所述载片机构设置在所述压片架下端。

2.根据权利要求1所述的半导体腔室用压片装置,其特征在于:

所述压片架呈“凹”状,所述压片架的两端具有通孔;所述腔室内衬插接在所述通孔中。

3.根据权利要求2所述的半导体腔室用压片装置,其特征在于:

所述腔室内衬和所述压片架之间还设置有聚四氟防护套。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体腔室用压片装置,其特征在于,还包括:

支撑托架,所述支撑托架分别与所述腔室内衬和所述压片架连接。

5.根据权利要求4所述的半导体腔室用压片装置,其特征在于:

所述支撑托架通过螺栓或螺钉与所述腔室内衬固定连接。

6.根据权利要求4所述的半导体腔室用压片装置,其特征在于:

所述支撑托架为中心为空的环状结构。

7.根据权利要求1-3任一项所述的半导体腔室用压片装置,其特征在于:

所述压片架为全环形结构,其内环边缘采用倒圆锥斜面结构。

8.根据权利要求1-3任一项所述的半导体腔室用压片装置,其特征在于:

所述压片架的材料为石英。

9.根据权利要求1-3任一项所述的半导体腔室用压片装置,其特征在于:

所述载片机构是静电卡盘或载片台。

10.根据权利要求1-3任一项所述的半导体腔室用压片装置,其特征在于:

所述反应腔室还设置有送片孔。

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