[发明专利]密节距小焊盘铜线键合单IC芯片封装件及其制备方法

权利要求书

1.一种密节距小焊盘铜线键合单IC芯片封装件，包括塑封体（11），塑封体（11）内设有引线框架载体（1）和框架引线内引脚（7），引线框架载体（1）的上面固接有IC芯片（3），其特征在于：所述IC芯片（3）的上表面设置数个焊盘（4），所述数个焊盘（4）平行设置成两列焊盘组，分别为第一焊盘组和第二焊盘组，所述每列焊盘组中的每个焊盘（4）对应连接一框架引线内引脚（7），每个焊盘（4）上分别焊接一个金球（5），每个金球（5）上焊接一个第一铜键合球（6），拱丝拉弧在对应内引脚（7）上打一铜焊点（10），形成第一铜键合线(9)。

2.如权利要求1所述的密节距小焊盘铜线键合单IC芯片封装件，其特征在于所述第一焊盘组和第二焊盘组中间隔的焊盘（4）上分别焊接有一个金球（5），所述第一焊盘组中的金球（5）与第二焊盘组中的金球（5）交错设置，每个金球（5）上焊接一个第一铜键合球（6），每列焊盘组中未焊接金球（5）的焊盘（4）上直接焊接一个第二铜键合球（8），拱丝拉弧在对应内引脚（7）上打一铜焊点（10），形成第二铜键合线(14)。

3.如权利要求1所述的密节距小焊盘铜线键合单IC芯片封装件，其特征在于所述每列焊盘组中相邻两焊盘（4）之间留有空隙，焊盘（4）的外形尺寸为 38μm×38μm，焊盘（4）的节距为43μm。

4.如权利要求1所述的密节距小焊盘铜线键合单IC芯片封装件，其特征在于所述第一铜键合球（6）采用Φ15μm铜线制成，第一铜键合球（6）直径为35μm～38μm。

5.如权利要求1所述的密节距小焊盘铜线键合单IC芯片封装件，其特征在于所述金球（5）的直径为30μm～36.8μm。

6.如权利要求1或2所述的密节距小焊盘单IC芯片封装件，其特征在于所述第二铜键合球（8）采用Φ15μm铜线制成，第二铜键合球（8）直径为34μm～37μm。

7.一种如权利要求1或2所述密节距小焊盘单IC芯片封装件的制备方法，工艺流程为减薄、划片、上芯、压焊、塑封、后固化、切筋、电镀、打印、成形分离和包装，其中除上芯、压焊工序以外，其它工序均采用相关封装形式的常规方法，其特征在于所述上芯、压焊操作工艺过程为：

步骤1、减薄、划片：

常规方法将晶圆减薄至250～300μm并划片；

步骤2、上芯：

取引线框架载体将步骤1已减薄划片的IC芯片固接于引线框架载体上，采用N₂气流量25~30ml/min烘烤3小时，烘烤温度150℃；

步骤3、压焊：

在焊盘（4）上进行压焊：

a）将金线轴固定于压焊台上，然后穿入金线；

b）将引线框架载体预热至200℃～210℃后送到压焊台上，在焊盘上分别焊接金球；

c）将铜线轴固定于压焊台上，穿入铜线，将步骤b）中焊接有金球的引线框架载体预热至200℃～210℃后送到压焊台上，在每个金球上堆叠一个第一铜键合球，然后向上拱丝拉弧至与焊接有该金球的焊盘相对应的引线框架内引脚，并在该引线框架内引脚上打一铜焊点，形成第一铜键合线；

d）在两列焊盘组中未焊接金球的每个焊盘上分别用铜丝球焊形成第二铜键合球，拱丝拉弧至与该焊盘相对应的引线框架内引脚，并在该引线框架内引脚上打一铜焊点，形成第二铜键合线；

步骤4：采用常规方法对压焊后形成的半成品框架依次进行塑封、后固化、打印、冲切分离或切割分离，制成密节距小焊盘铜线键合IC芯片封装产品。