[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

一半导体基材，其具有一第一表面以及一第二表面；

一掺杂材料层，位于靠近该第一表面的该半导体基材之上或内；

一第一接触电极，位于该掺杂材料层上；

一电极层，位于该半导体基材的该第二表面上；

一散热材料层，覆盖该电极层；以及

一第二接触电极，位于该散热材料层上，且该第二接触电极与该电极层电性连接。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该散热材料层的热传导系数高于145W/m.k。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，该散热材料层包括一陶瓷材料或一金属材料。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，该陶瓷材料包括氮化硼或氮化铝。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，该金属材料包括铝、铜、银或是金。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该散热材料层中具有一接触窗开口以暴露出该电极层，且该第二接触电极透过该接触窗开口而与该电极层电性连接。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该第一接触电极以及该第二接触电极对称设置。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该半导体基材为掺杂p型掺质的一半导体材料，且该掺杂材料层包括掺杂n型掺质的一材料层。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该半导体基材为掺杂n型掺质的一半导体材料，且该掺杂材料层包括掺杂p型掺质的一材料层。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该掺杂材料层包括一高掺杂浓度的接触区，且该第一接触电极位于该高掺杂浓度的接触区。

11.一种太阳能电池的制造方法，包括：

提供一半导体基材，其具有一第一表面以及一第二表面；

于靠近该第一表面的该半导体基材之上或内形成一掺杂材料层；

于该掺杂材料层上形成一第一接触电极；

于该半导体基材的该第二表面上形成一电极层；

于该电极层上形成一散热材料层；以及

于该散热材料层上形成一第二接触电极，其中该第二接触电极与该电极层电性连接。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，于该电极层上形成该散热材料层的方法包括进行一涂布程序、一印刷程序、一物理气相沉积程序或是一化学气相沉积程序。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该涂布程序包括：

将一散热材料与一溶剂混合；

进行一喷涂步骤；以及

进行一烘干步骤。

14.根据权利要求12所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该物理气相沉积程序包括一离子束沉积、一脉冲激光沉积或一反应性溅镀。

15.根据权利要求11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，于靠近该第一表面的该半导体基材之上形成一掺杂材料层的方法包括一沉积法。

16.根据权利要求11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，于靠近该第一表面的该半导体基材的内形成一掺杂材料层的方法包括一扩散法。