[发明专利]一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法

权利要求书

1.一种制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，其特征在于，包括：

在衬底表面上依次沉积多层膜反射层和保护层；

在保护层表面旋涂的电子束抗蚀剂，并进行前烘、显影和定影，得到电子束抗蚀剂图形；

在具有电子束抗蚀剂图形的保护层表面沉积形成Mo/Si多层膜移相层；

去除电子束抗蚀剂及其上表面和侧面沉积的Mo/Si多层膜移相层，保留电子束抗蚀剂图形之间的Mo/Si多层膜移相层，在保护层表面得到Mo/Si多层膜移相层；

在具有Mo/Si多层膜移相层的保护层表面沉积吸收体材料铬，形成铬层；

刻蚀Mo/Si多层膜移相层的上表面及移相层图形之间的铬层，保留Mo/Si多层膜移相层侧面的铬层，直至完全露出Mo/Si多层膜移相层和保护层；以及

清洗并检测掩模板，完成用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的制作。

2.根据权利要求1所述的制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，其特征在于，所述在衬底表面上依次沉积多层膜反射层和保护层的步骤中，是在熔石英衬底表面上依次沉积多层膜反射层和保护层，其中多层膜反射层是Mo/Si多层膜，保护层为钌。

3.根据权利要求2所述的制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，其特征在于，所述多层膜反射层是由40层厚度共为276nm的Mo(2.7nm)/Si(4.2nm)多层膜构成，保护层为2nm厚的材料钌Ru；多层膜反射层沉积方法为磁控溅射，保护层沉积方法为磁控溅射。

4.根据权利要求1所述的制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，其特征在于，所述在保护层表面旋涂的电子束抗蚀剂，并进行前烘、显影和定影，得到电子束抗蚀剂图形，包括：

在保护层表面旋涂电子束抗蚀剂，进行前烘处理，在电子束直写后，在室温环境条件下显影和定影，得到电子束抗蚀剂图形。

5.根据权利要求4所述的制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，其特征在于，所述在保护层表面旋涂的电子束抗蚀剂为ZEP520A，厚度为300～400nm；所述前烘处理是在120℃～180℃的烘箱中前烘30分钟；所述在室温环境条件下显影和定影，是利用对二甲苯在室温环境下显影40秒，在异丙醇中定影30秒。

6.根据权利要求1所述的制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，其特征在于，所述在具有电子束抗蚀剂图形的保护层表面沉积形成Mo/Si多层膜移相层，包括：

利用磁控溅射在具有电子束抗蚀剂图形的保护层表面沉积Mo/Si多层膜移相层，在电子束抗蚀剂的上表面、侧面及电子束抗蚀剂图形之间形成Mo/Si多层膜移相层。

7.根据权利要求6所述的制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，其特征在于，所述利用磁控溅射在具有电子束抗蚀剂图形的保护层表面沉积Mo/Si多层膜移相层，是利用磁控溅射在具有电子束抗蚀剂图形的保护层表面沉积10层共69nm的Mo/Si多层膜移相层。

8.根据权利要求1所述的制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，其特征在于，所述去除电子束抗蚀剂采用甲基丙烯酸甲酯(MMA)湿法剥离的方法实现。

9.根据权利要求1所述的制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，其特征在于，所述在具有Mo/Si多层膜移相层的保护层表面沉积吸收体材料铬，形成铬层，包括：

采用原子层沉积的方法，在具有Mo/Si多层膜移相层的保护层表面沉积厚度为7～15nm的吸收体材料铬，在Mo/Si多层膜移相层的上表面、侧面及移相层图形之间形成铬层。

10.根据权利要求1所述的制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，其特征在于，所述刻蚀Mo/Si多层膜移相层的上表面及移相层图形之间的铬层的步骤中，无须任何掩蔽，采用氧气和氯气各向异性反应离子刻蚀Mo/Si多层膜移相层的上表面及移相层图形之间的铬层，直到完全露出移相层和保护层。

11.根据权利要求1所述的制作用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的方法，其特征在于，所述清洗并检测掩模板的步骤中，是在清洗液中清洗后，利用电子束或聚焦离子束检测掩模板，并修补，完成用于极紫外光刻的铬侧墙衰减型移相掩模的制作。