[发明专利]一种抗氧化泡生炉及其制备方法

权利要求书

1.一种抗氧化泡生炉，其特征在于：包括炉体，在所述的炉体内设有钨钼内反射屏，在所述的钨钼内反射屏上镀有一层抗氧化的薄膜层。

2.根据权利要求1所述的一种抗氧化泡生炉，其特征在于所述的薄膜层为氧化锆薄膜。

3.根据权利要求2所述的一种抗氧化泡生炉，其特征在于所述的氧化锆薄膜的厚度为100-1000nm。

4.根据权利要求3所述的一种抗氧化泡生炉，其特征在于所述的氧化锆薄膜的厚度为500nm。

5.一种制备如权利要求1所述抗氧化泡生炉的方法，其特征在于包括以下步骤：

A、将二氧化锆粉末研磨均匀，用压片机将其锻压成二氧化锆薄片；

B、将步骤A中的二氧化锆薄片放到电子束蒸发镀膜仪的电子束铜靶上，向用于制作泡生炉内反射屏的钨钼板材上镀一层氧化锆薄膜；

C、采用步骤B中的板材制作内反射屏，即可。

6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于所述的二氧化锆粉末的纯度为99.99％。

7.根据权利要求4或6所述的制作方法，其特征在于采用玛瑙研钵对所述的二氧化锆粉末进行研磨。

8.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于镀氧化锆薄膜时电子束蒸发镀膜仪的真空腔的真空度为1-10*10^-4pa，仪器的镀膜速率为0.1-0.3nm/s，退火温度为600-1200℃，退火时间为30-60分钟。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于镀氧化锆薄膜时电子束蒸发镀膜仪的真空腔的真空度为5*10^-4pa，仪器的镀膜速率为0.2nm/s，退火温度为800-1000℃，退火时间为30-40分钟。