[发明专利]一种光学防伪元件

权利要求书

1.一种光学防伪元件，该光学防伪元件包括基材和第一镀层，所述基材包括第一表面和第二表面，所述第一镀层包括形成于全部或部分所述第一表面上的第一反射层以及形成于所述第一反射层上的第一介质层，并且所述第一介质层由折射率大于1.8的介质材料形成。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，当所述第一反射层形成在部分所述第一表面上时，所述光学防伪元件还包括第二镀层，所述第二镀层包括形成于所述第一表面上的第二反射层和/或形成于所述第一表面上的第二介质层，其中，所述第二介质层由折射率大于1.8的介质材料形成。

3.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第一镀层还包括形成于所述第一介质层上的第一吸收层。

4.根据权利要求3所述的光学防伪元件，其中，当所述第一反射层形成在部分所述第一表面上时，所述光学防伪元件还包括第三镀层，所述第三镀层包括以下中的至少一者：

形成于所述第一表面上的第三介质层和形成于所述第三介质层上的第二吸收层；

形成于所述第一表面上的第三反射层和形成于所述第三反射层上的第四介质层；

形成于所述第一表面上的第四反射层和形成于所述第四反射层上的第三吸收层；

形成于所述第一表面上的第四吸收层；

形成于所述第一表面上的第五介质层；

形成于所述第一表面上的第五反射层。

5.根据权利要求1至4中任一项权利要求所述的光学防伪元件，其中，至少部分所述第一表面以及形成于该部分第一表面上的相应镀层为亚波长浮雕结构。

6.根据权利要求5所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构的周期是可变的。

7.根据权利要求5所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构的槽深是可变的，并且所述槽深位于10nm至500nm的范围内。

8.根据权利要求7所述的光学防伪元件，其中，所述槽深位于50nm至300nm的范围内。

9.根据权利要求5所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构的槽型是可变的。

10.根据权利要求9所述的光学防伪元件，其中，所述槽型为正弦形、矩形、锯齿形中的至少一者。

11.根据权利要求9所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构为一维光栅和/或二维光栅。

12.根据权利要求11所述的光学防伪元件，其中，所述二维光栅的栅格分布为正交结构、蜂窝结构、二维布拉维点阵结构、随机结构中的一种或其组合。

13.根据权利要求6至12中任一项权利要求所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构在x方向和/或y方向上的特征尺寸为50nm至500nm。

14.根据权利要求13所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构在x方向和/或y方向上的特征尺寸为200nm至400nm。

15.根据权利要求1至4和6至12中任一项权利要求所述的光学防伪元件，其中，各个镀层中的相应层的厚度是可变的。

16.根据权利要求1至4中任一项权利要求所述的光学防伪元件，其中，所述光学防伪元件还包括第四镀层，所述第四镀层包括形成于所述第一表面上的第六反射层、由折射率小于1.8的低折射率的介质材料形成的位于所述第六反射层上的第六介质层以及形成于所述第六介质层上的第五吸收层。

17.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第一反射层的厚度大于20nm，并且由选自金、银、铜、铝及其混合物和合金组成的组中的一种或多种材料形成。