[发明专利]一种光学防伪元件

权利要求书

1.一种光学防伪元件，该光学防伪元件包括基材(2)，所述基材(2)包括第一表面(3)和第二表面(4)，所述光学防伪元件还包括形成于全部或部分所述第一表面(3)上的亚波长浮雕结构(5)以及形成于全部或部分所述亚波长浮雕结构(5)上的多层结构镀层(6)，并且所述多层结构镀层(6)包括由折射率小于1.8的介质材料形成的介质层。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述第一表面(3)的不同区域中的所述亚波长浮雕结构(5)的结构不同。

3.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构(5)的不同区域中的所述多层结构镀层(6)的结构不同。

4.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述光学防伪元件还包括位于所述第一表面(3)与所述亚波长浮雕结构(5)之间的模压层(7)。

5.根据权利要求4所述的光学防伪元件，其中，所述光学防伪元件还包括位于所述第一表面(3)与所述模压层(7)之间的剥离层(9)。

6.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述光学防伪元件还包括覆盖在所述多层结构镀层(6)的表面上的保护层(8)。

7.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构(5)的槽深与周期的比值为0.3至2。

8.根据权利要求7所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构(5)的槽深与周期的比值为0.4至1。

9.根据权利要求7所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构(5)的槽深为10nm至500nm。

10.根据权利要求9所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构(5)的槽深为50nm至300nm。

11.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构(5)在x方向和y方向中的至少一个方向上的特征尺寸为50nm至500nm。

12.根据权利要求11所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构(5)在x方向和y方向中的至少一个方向上的特征尺寸为200nm至400nm。

13.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构(5)的光栅峰宽与周期的比值为0.3至0.7。

14.根据权利要求13所述的光学防伪元件，其中，所述亚波长浮雕结构(5)的光栅峰宽与周期的比值为0.4至0.6。

15.根据权利要求1至14中任一项权利要求所述的光学防伪元件，其中，所述多层结构镀层(6)包括以下中的至少一者：

多层介质层，并且所述多层介质层中的至少一层介质层由折射率小于1.8的介质材料形成；

形成于所述亚波长浮雕结构(5)上的第一反射层、形成于所述第一反射层上的第一介质层和形成于所述第一介质层上的第一吸收层；

形成于所述亚波长浮雕结构(5)上的第二吸收层、形成于所述第二吸收层上的第二介质层和形成于所述第二介质层上的第三吸收层；

形成于所述亚波长浮雕结构(5)上的第四吸收层、形成于所述第四吸收层上的第三介质层、形成于所述第三介质层上的第二反射层、形成于所述第二反射层上的第四介质层和形成于所述第四介质层上的第五吸收层；以及

形成于所述亚波长浮雕结构(5)上的第六吸收层、形成于所述第六吸收层上的第四介质层、形成于所述第四介质层上的第七吸收层、形成于所述第七吸收层上的第五介质层和形成于所述第五介质层上的第八吸收层。

16.根据权利要求1至14中任一项权利要求所述的光学防伪元件，其中，所述光学防伪元件还包括形成于全部或部分所述第二表面(4)上的第二亚波长浮雕结构(11)以及形成于全部或部分所述第二亚波长浮雕结构(11)上的第二多层结构镀层(12)。

17.根据权利要求1至14中任一项权利要求所述的光学防伪元件，其中，所述光学防伪元件还包括形成于任何一个表面上的印刷图文、磁性特征层和/或荧光特征层。